图书介绍
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- 甘学温等编著 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：703011163X
- 出版时间：2004
- 标注页数：344页
- 文件大小：33MB
- 文件页数：355页
- 主题词：半导体材料：纳米材料
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图书目录
目录1
序1
前言1
第一章 绪论1
第二章 缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战8
2.1 器件尺寸缩小对工艺技术的挑战8
2.2 栅氧化层减薄的限制10
2.3 量子效应的影响20
2.4 迁移率退化和速度饱和26
2.5 杂质随机分布的影响33
2.6 阈值电压减小的限制44
2.7 源、漏区串联电阻的影响49
参考文献57
第三章 纳米CMOS器件的图形制备技术59
3.1 光刻工艺技术的进展59
3.2 分辨率增强技术63
3.3 下一代光刻技术的研究进展68
3.4 一种实用的超细栅线条制备技术74
3.5 超细线条刻蚀技术78
参考文献84
第四章 纳米CMOS器件中的栅工程86
4.1 CMOS器件中的MIS栅结构86
4.2 氮氧硅栅介质93
4.3 高介电常数栅介质98
4.4 纳米CMOS技术中的新型栅电极材料107
参考文献120
第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术123
5.1 沟道工程要解决的问题123
5.2 纵向沟道工程124
5.3 纳米CMOS器件中的横向沟道工程148
5.4 纳米CMOS中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展180
参考文献190
第六章 新型纳米CMOS器件193
6.1 新型衬底结构器件193
6.2 新型栅结构器件218
6.3 新型沟道结构器件286
6.4 新型源漏结构器件302
6.5 新型工作机制器件315
参考文献335
主要符号表342