图书介绍
高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 徐传骧主编 著
- 出版社： 北京：机械工业出版社
- ISBN：1533·5172
- 出版时间：1981
- 标注页数：206页
- 文件大小：5MB
- 文件页数：210页
- 主题词：
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高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术PDF格式电子书版下载
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图书目录
目录1
编者的话1
第一章 导言1
一、研究高压硅半导体器件的耐压与表面绝缘技术的意义1
二、影响硅半导体器件耐压及稳定性的主要因素5
第二章 高压硅半导体器件的体内耐压8
一、半导体P-N结的形成和基本特性8
二、P-N结空间电荷区的电场分布17
三、P-N结的击穿31
四、高压硅整流管的结片结构与耐压设计49
五、硅晶闸管的耐压设计56
第三章 高压硅半导体器件的表面电场与表面耐压79
一、P-N结的表面击穿与表面电场79
二、整流管与晶闸管的表面造型86
三、表面电场与表面空间电荷区的测量方法94
四、表面电场分布的近似计算方法98
五、表面耐压的温度特性106
第四章 高压硅半导体器件的表面放电111
一、气体击穿的基本实验规律111
二、气体击穿机理——碰撞电离理论116
三、高压硅半导体器件管壳内部气体放电的产生与改善措施123
第五章 高压硅半导体器件的漏电流128
一、P-N结反向漏电流理论128
二、硅整流管反向漏电流的测试与分析140
三、影响硅整流管表面漏电流因素的分析149
四、硅晶闸管的漏电流157
第六章 高压硅半导体器件的表面处理与表面保护159
材料159
一、硅半导体器件表面的腐蚀与清洗159
二、表面保护的要求和几种保护方法165
三、有机保护材料的结构、性能与使用工艺177
四、保护材料对硅半导体器件电性能的影响191
附录 漏电流中ID、Ig分量的分解200
参考文献202