图书介绍
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- 万积庆，唐元洪编著 著
- 出版社： 长沙：湖南大学出版社
- ISBN：9787811134919
- 出版时间：2009
- 标注页数：273页
- 文件大小：54MB
- 文件页数：280页
- 主题词：微电子技术－电子器件－理论－高等学校－教材
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图书目录
第1章 材料参数物理1
1.1 半导体的晶体结构1
1.2 能带理论4
1.3 热平衡载流子12
1.4 硅中载流子迁移率21
1.5 硅的电阻率30
1.6 寿命35
1.7 电流方程和连续方程45
1.8 SiC材料特性及器件工艺特点46
习题55
参考文献56
第2章 PN结的击穿与终端造型技术58
2.1 PN结空间电荷区的电场和电位分布58
2.2 雪崩击穿61
2.3 柱面结与球面结66
2.4 台面终端70
2.5 刻蚀造型与钝化74
2.6 离子注入展宽PN结终端77
2.7 浮置限场环79
2.8 场板83
2.9 限场环与场板复合结构87
习题90
参考文献91
第3章 功率整流二极管93
3.1 肖特基整流二极管93
3.2 碳化硅肖特基势垒整流二极管105
3.3 PIN整流二极管113
3.4 PIN肖特基组合整流二极管MPS124
习题125
参考文献126
第4章 双极功率晶体管128
4.1 大注入效应128
4.2 基区扩展效应134
4.3 发射极电流的集边效应140
4.4 动态开关特性142
4.5 静态阻断特性147
4.6 达林顿功率晶体管148
4.7 晶体管的最大耗散功率150
4.8 二次击穿和安全工作区154
4.9 巨型功率晶体管的设计与制造GTR分析160
习题172
参考文献172
第5章 功率MOSFET173
5.1 基本结构和工作原理173
5.2 电容-电压特性C-V特性175
5.3 伏安特性182
5.4 静态阻断特性188
5.5 正向导通特性192
5.6 反向导通特性199
5.7 频率特性201
5.8 开关特性204
5.9 安全工作区210
5.10 器件结构和工艺215
5.11 碳化硅功率MOSFET221
习题225
参考文献225
第6章 绝缘栅双极晶体管228
6.1 IGBT的结构与工作原理228
6.2 稳态阻断特性230
6.3 正向导通特性232
6.4 非穿通和穿通型IGBT的I-V特性238
6.5 闩锁电流密度241
6.6 安全工作区S-O-A250
6.7 安全工作区的模拟实验分析253
6.8 开关特性257
6.9 开关特性的模拟实验分析261
6.10 IGBT新结构265
习题271
参考文献271