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氧化锌半导体材料掺杂技术与应用
  • 叶志镇,吕建国,张银珠等著 著
  • 出版社: 杭州:浙江大学出版社
  • ISBN:9787308066242
  • 出版时间:2009
  • 标注页数:190页
  • 文件大小:43MB
  • 文件页数:204页
  • 主题词:氧化锌-半导体材料

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图书目录

第1章ZnO概述3

1.1引言3

1.2 ZnO的基本性质4

1.3 ZnO的能带结构6

1.4 ZnO的形态及制备技术9

ZnO体单晶9

ZnO薄膜11

ZnO纳米结构15

1.5 ZnO的发光特性16

1.6 ZnO的缺陷与掺杂18

1.7 ZnO的应用19

参考文献21

第2章ZnO中的缺陷和非故意掺杂31

2.1 ZnO薄膜中的层错、位错和晶界31

ZnO薄膜的原生层错和扩展位错31

ZnO薄膜中退火诱生层错34

退火诱生缺陷的显微结构与形成机理36

ZnO中的晶界38

2.2 ZnO中的本征点缺陷44

2.3 ZnO中绿色发光起源47

2.4 ZnO中的氢杂质48

氢在ZnO中作为施主49

氢对ZnO p型掺杂的影响49

参考文献50

第3章ZnO透明导电薄膜55

3.1 Ⅲ族元素掺杂55

B元素掺杂56

A1元素掺杂56

Ga元素掺杂63

In元素掺杂65

ⅢB族元素掺杂66

3.2其他族元素掺杂66

Ⅳ族元素掺杂66

Ⅴ族元素掺杂67

Ⅵ族元素掺杂68

Ⅶ族元素掺杂68

La系元素掺杂69

3.3 ZnO透明导电薄膜的应用69

参考文献71

第4章ZnO的p型掺杂77

4.1本征p型ZnO77

4.2 I族元素掺杂p型ZnO80

IA族元素掺杂81

IB族元素掺杂86

4.3 V族元素掺杂p型ZnO88

N元素掺杂89

P元素掺杂94

As元素掺杂96

Sb元素掺杂97

4.4 H辅助掺杂技术99

4.5施主—受主共掺杂p型ZnO104

A1-N共掺杂技术106

Ga-N共掺杂技术112

In-N共掺杂技术113

其他共掺杂技术116

4.6双受主共掺杂技术116

参考文献120

第5章ZnO基合金半导体129

5.1能带调节工程129

5.2 ZnMgO合金半导体131

ZnMgO的晶体结构131

ZnMgO薄膜研究现状132

ZnO/ZnMgO异质结、超晶格与多量子阱135

ZnMgO薄膜的p型掺杂137

ZnMgO薄膜的n型掺杂140

5.3 ZnCdO合金半导体142

ZnCdO合金晶体结构143

ZnCdO薄膜研究现状143

参考文献146

第6章ZnO稀磁半导体153

6.1 ZnO稀磁半导体磁性来源及机理153

6.2 ZnO稀磁半导体的掺杂体系155

Mn掺杂ZnO基DMS155

Co掺杂ZnO基DMS156

6.3 ZnO稀磁半导体的应用159

参考文献161

第7章ZnO半导体器件165

7.1 ZnO发光二极管165

MIS结构LED165

ZnO异质结LED166

ZnO同质结LED167

ZnO基PIN结LED171

ZnO多量子阱LED173

ZnO激光器174

7.2 ZnO紫外光电探测器175

ZnO光电导紫外探测器175

ZnO光伏型紫外探测器178

7.3 ZnO薄膜晶体管181

7.4 ZnO的其他应用184

ZnO压电器件184

ZnO气敏元件185

ZnO压敏器件186

参考文献187

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