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第一篇 微电子器件3

第1章 硅数字集成电路3

1.1概述3

1.1.1定义与分类3

1.1.2发展过程3

1.1.3特点和需求4

1.2微处理器4

1.2.1概述4

1.2.2主要技术性能7

1.2.3应用范围7

1.2.4技术发展趋势7

1.3数字信号处理器8

1.3.1概述8

1.3.2主要技术性能8

1.3.3应用范围10

1.3.4技术发展趋势10

1.4微控制器10

1.4.t概述10

1.4.2主要技术性能11

1.4.3应用范围12

1.4.4技术发展趋势12

1.5存储器13

1.5.1概述13

1.5.2主要技术性能13

1.5.3应用范围14

1.5.4技术发展趋势14

1.6总线接口15

1.6.1概述15

1.6.2技术发展趋势16

1.7专用集成电路17

1.7.1概述17

1.7.2主要技术性能17

1.7.3应用范围18

1.7.4技术发展趋势18

1.8可编程逻辑器件19

1.8.1概述19

1.8.2主要技术性能21

1.8.3应用范围22

1.8.4技术发展趋势22

参考文献23

第2章 硅模拟／混合信号集成电路24

2.1概述24

2.1.1定义和分类24

2.1.2技术发展趋势25

2.1.3应用范围25

2.2放大器27

2.2.1概述27

2.2.2集成运算放大器28

2.2.3功率放大器29

2.2.4 RF放大器与低噪声放大器29

2.3 A／D转换器30

2.3.1概述30

2.3.2主要技术性能32

2.3.3应用范围33

2.3.4技术发展趋势33

2.4 D／A转换器34

2.4.1概述34

2.4.2主要技术性能35

2.4.3应用范围36

2.4.4技术发展趋势36

2.5射频集成电路36

2.5.1概述36

2.5.2主要技术性能37

2.5.3应用范围38

2.5.4技术发展趋势39

2.6电源及电源管理电路39

2.6.1概述39

2.6.2主要技术性能40

2.6.3应用范围40

2.6.4技术发展趋势41

2.7其他类型的模拟／混合信号集成电路41

2.7.1模拟专用集成电路41

2.7.2其他类型的数据转换器41

2.7.3接口集成电路42

2.7.4模拟开关和多路选择器42

参考文献43

第3章 微波毫米波器件与电路44

3.1概述44

3.1.1基本分类44

3.1.2发展概况45

3.1.3应用范围46

3.2硅微波功率器件46

3.2.1概述46

3.2.2主要技术性能47

3.2.3应用范围47

3.2.4技术发展趋势48

3.3砷化镓微波功率器件48

3.3.1概述48

3.3.2主要技术性能49

3.3.3应用范围49

3.3.4技术发展趋势50

3.4砷化镓低噪声场效应晶体管50

3.4.1概述50

3.4.2主要技术性能50

3.4.3应用范围50

3.4.4技术发展趋势51

3.5磷化铟毫米波器件51

3.5.1概述51

3.5.2主要技术性能51

3.5.3应用范围51

3.5.4技术发展趋势52

3.6微波毫米波二极管52

3.6.1概述52

3.6.2主要技术性能52

3.6.3应用范围53

3.6.4技术发展趋势53

3.7单片功率放大器53

3.7.1概述53

3.7.2主要技术性能54

3.7.3应用范围54

3.7.4技术发展趋势55

3.8单片低噪声放大器55

3.8.1概述55

3.8.2主要技术性能55

3.8.3应用范围56

3.8.4技术发展趋势56

3.9单片振荡器和单片混频器56

3.9.1概述56

3.9.2主要技术性能57

3.9.3应用范围58

3.9.4技术发展趋势58

3.10单片开关和单片衰减器58

3.10.1概述58

3.10.2主要技术性能59

3.10.3应用范围60

3.10.4技术发展趋势60

3.11单片移相器60

3.11.1概述60

3.11.2主要技术性能61

3.11.3应用范围61

3.11.4技术发展趋势61

3.12多功能单片微波集成电路61

3.12.1概述61

3.12.2主要技术性能62

3.12.3应用范围62

3.12.4技术发展趋势62

参考文献63

第4章 砷化镓超高速集成电路64

4.1概述64

4.1.1砷化镓超高速集成电路中的高速器件65

4.1.2砷化镓超高速集成电路的单元逻辑电路结构65

4.2砷化镓高速分频器66

4.2.1概述66

4.2.2主要技术性能66

4.2.3产品应用范围67

4.2.4技术发展趋势67

4.3砷化镓模／数转换器与数／模转换器67

4.3.1概述67

4.3.2砷化镓模／数转换器和数／模转换器的主要技术性能68

4.3.3应用范围69

4.3.4技术发展趋势69

4.4砷化镓多路选择器与多路分配器69

4.4.1概述69

4.4.2砷化镓多路选择器和多路分配器主要技术性能71

4.4.3应用范围71

4.4.4技术发展趋势71

4.5砷化镓门阵列72

4.5.1概述72

4.5.2主要技术性能72

4.5.3应用范围73

4.5.4技术发展趋势73

4.6直接数字频率合成器73

4.6.1概述73

4.6.2砷化镓直接数字频率合成器主要技术性能73

4.6.3应用范围74

4.6.4技术发展趋势74

4.7数字射频存储器74

4.7.1概述74

4.7.2主要技术性能75

4.7.3产品应用范围76

4.7.4技术发展趋势76

4.8新型超高速器件76

参考文献77

第5章 宽禁带半导体器件与电路78

5.1概述78

5.1.1宽禁带半导体的基本概念78

5.1.2宽禁带半导体器件分类79

5.1.3宽禁带半导体技术现状79

5.1.4应用范围82

5.2宽禁带半导体器件82

5.2.1 GaN基HEMT微波器件82

5.2.2其他GaN基电子器件85

5.2.3碳化硅微波功率器件86

5.2.4碳化硅功率器件88

5.3宽禁带半导体光电器件89

5.3.1 GaN基光电器件89

5.3.2碳化硅探测器件90

5.4其他宽禁带半导体器件92

5.4.1氧化锌器件92

5.4.2单光子器件93

5.4.3宽禁带半导体纳米结构器件93

5.4.4基于GaN的子带间跃迁光开关93

5.4.5氮化物光催化剂93

参考文献94

第6章 功率半导体器件与功率集成电路95

6.1概述95

6.1.1功率半导体器件定义与分类95

6.1.2功率半导体器件的发展96

6.2功率二极管96

6.2.1概述96

6.2.2主要技术性能97

6.2.3应用范围97

6.2.4技术发展趋势98

6.3功率双极型晶体管98

6.3.1概述98

6.3.2主要技术性能99

6.3.3应用范围99

6.3.4技术发展趋势100

6.4晶闸管类器件100

6.4.1概述100

6.4.2主要技术性能101

6.4.3应用范围101

6.4.4技术发展趋势101

6.5功率MOSFET102

6.5.1概述102

6.5.2主要技术性能103

6.5.3应用范围104

6.5.4技术发展趋势104

6.6绝缘栅双极型晶体管104

6.6.1概述104

6.6.2主要技术性能105

6.6.3应用范围106

6.6.4技术发展趋势106

6.7静电感应器件107

6.7.1概述107

6.7.2主要技术性能107

6.7.3应用范围108

6.7.4技术发展趋势108

6.8智能功率集成电路108

6.8.1概述108

6.8.2主要技术性能109

6.8.3应用范围110

6.8.4技术发展趋势110

6.9 SOI高压集成电路111

6.9.1概述111

6.9.2主要技术性能111

6.9.3应用范围112

6.9.4技术发展趋势112

参考文献112

第7章 混合集成电路与多芯片组件113

7.1概述113

7.1.1混合集成电路113

7.1.2多芯片组件114

7.2 DC／DC变换器和EMI电源滤波器115

7.2.1概述115

7.2.2主要技术性能116

7.2.3应用范围117

7.2.4技术发展趋势117

7.3交流功率放大器118

7.3.1概述118

7.3.2主要性能118

7.3.3应用范围119

7.3.4技术发展趋势119

7.4脉宽调制放大器电路119

7.4.1概述119

7.4.2主要技术性能120

7.4.3应用范围120

7.4.4技术发展趋势121

7.5轴角转换器121

7.5.1概述121

7.5.2主要技术性能122

7.5.3应用范围123

7.5.4技术发展趋势123

7.6电压／电流基准源123

7.6.1概述123

7.6.2主要技术性能124

7.6.3应用范围125

7.6.4技术发展趋势125

7.7中／低频放大器125

7.7.1概述125

7.7.2主要技术性能127

7.7.3应用范围127

7.7.4技术发展趋势127

7.8微波功率放大器127

7.8.1概述127

7.8.2主要技术性能128

7.8.3应用范围128

7.8.4技术发展趋势128

7.9微波低噪声放大器129

7.9.1概述129

7.9.2主要技术性能129

7.9.3应用范围130

7.9.4技术发展趋势130

7.10微波频率源130

7.10.1概述130

7.10.2主要技术性能130

7.10.3应用范围131

7.10.4技术发展趋势131

7.11微波T／R组件131

7.11.1概述131

7.11.2主要技术性能132

7.11.3应用范围132

7.11.4技术发展趋势132

参考文献133

第8章 抗辐射器件与电路134

8.1概述134

8.1.1辐射效应135

8.1.2辐射试验137

8.2抗辐射CMOS集成电路138

8.2.1概述138

8.2.2抗辐射微处理器系列电路138

8.2.3抗辐射4000系列和54系列电路140

8.2.4抗辐射专用集成电路141

8.2.5抗辐射现场可编程门阵列电路142

8.3抗辐射加固双极型集成电路142

8.3.1概述142

8.3.2抗辐射TTL、ECL电路和模拟电路143

8.3.3抗辐射A／D和D／A转换器143

8.3.4抗辐射DC／DC电源145

8.4抗辐射CMOS／SOI器件146

8.4.1概述146

8.4.2 CMOS／SOI／SOS电路147

8.5其他抗辐射器件148

8.5.1抗辐射半导体发光二极管148

8.5.2抗辐射砷化镓器件148

8.5.3抗辐射电荷耦合器件149

8.5.4抗辐射太阳电池150

8.5.5抗辐射固体继电器151

8.5.6其他抗辐射器件性能152

8.6抗辐射加固电路发展动态153

8.6.1国外抗辐射加固电路性能153

8.6.2抗辐射加固电路发展趋势154

参考文献156

第9章 片上系统157

9.1概述157

9.2 SoC设计方法学及关键技术158

9.2.1集成电路DSM工艺技术159

9.2.2 IP设计和复用技术159

9.2.3软、硬件协同设计技术160

9.3 IP核160

9.3.1微处理器161

9.3.2存储器161

9.3.3片上总线162

9.3.4输入／输出接口163

9.4数字图像处理SoC163

9.4.1设计简介163

9.4.2 TE的系统构成163

9.4.3 TE中的IP模块164

9.4.4 TE中的软件164

9.4.5 TE的设计实现164

9.5通信SoC芯片165

9.5.1设计简介165

9.5.2 FC中的主要IP模块165

9.5.3 FC中的软件166

9.6混合信号SoC芯片166

9.6.1混合信号SoC芯片发展的基础167

9.6.2混合信号SoC的关键技术167

9.7弹上嵌入式C*SoC芯片168

9.7.1设计简介168

9.7.2系统构成168

9.7.3系统内部的IP模块169

9.7.4软件开发170

9.7.5应用范围170

9.8 SoC的发展趋势170

9.8.1 SoC的产业化潜力170

9.8.2 SoC的集成度越来越高171

9.8.3 SoC的设计愈加复杂172

9.8.4 SoC的跨学科拓展172

参考文献173

第10章 微电子工艺174

10.1概述174

10.2单片集成电路基本工艺175

10.2.1扩散／氧化工艺175

10.2.2薄膜工艺176

10.2.3光刻工艺180

10.2.4离子注入工艺183

10.2.5平坦化工艺184

10.2.6背面工艺185

10.3单片集成工艺185

10.3.1硅双极集成工艺185

10.3.2硅CMOS集成工艺186

10.3.3硅BiCMOS及SiGe集成工艺187

10.3.4 SoI集成工艺188

10.3.5砷化镓集成工艺188

10.4混合集成电路及多芯片组件制作工艺191

10.4.1混合集成电路制作工艺192

10.4.2多芯片组件制作工艺192

10.5微电子工艺发展趋势194

第二篇 微电子机械系统197

第1章 MEMS惯性器件197

1.1概述197

1.2 MEMS加速度计198

1.2.1基本概念与工作原理198

1.2.2主要技术性能199

1.2.3产品应用范围199

1.2.4技术发展趋势200

1.3 MEMS陀螺仪200

1.3.1基本概念与工作原理200

1.3.2主要技术性能201

1.3.3产品应用范围202

1.3.4技术发展趋势202

1.4微惯性测量组合202

1.4.1基本概念与工作原理202

1.4.2主要技术性能203

1.4.3产品应用范围204

1.4.4技术发展趋势204

参考文献204

第2章 RF MEMS器件206

2.1概述206

2.2 RF MEMS开关207

2.2.1基本概念与工作原理207

2.2.2主要技术性能207

2.2.3产品应用范围208

2.2.4技术发展趋势208

2.3 RF MEMS移相器208

2.3.1基本概念与工作原理208

2.3.2主要技术性能210

2.3.3产品应用范围210

2.3.4技术发展趋势210

2.4 RF MEMS滤波器211

2.4.1基本概念与工作原理211

2.4.2主要技术性能212

2.4.3产品应用范围213

2.4.4技术发展趋势213

2.5其他RF MEMS器件213

2.5.1基本概念与工作原理213

2.5.2主要技术性能215

2.5.3产品应用范围215

2.5.4技术发展趋势215

参考文献215

第3章 MEMS传感器217

3.1概述217

3.2 MEMS磁通门磁强计217

3.2.1基本概念与工作原理217

3.2.2主要技术性能218

3.2.3产品应用范围219

3.2.4技术发展趋势219

3.3 MEMS生化传感器219

3.3.1基本概念与工作原理219

3.3.2主要技术性能220

3.3.3产品应用范围221

3.3.4技术发展趋势221

3.4 M EMS集成传感器221

3.4.1基本概念与工作原理221

3.4.2主要技术性能222

3.4.3产品应用范围222

3.4.4技术发展趋势223

参考文献223

第4章 MEMS集成应用系统224

4.1概述224

4.2微型飞行器225

4.2.1基本概念与工作原理225

4.2.2主要技术性能226

4.2.3产品应用范围226

4.2.4技术发展趋势226

4.3空间微系统227

4.3.1基本概念与工作原理227

4.3.2主要技术性能228

4.3.3产品应用范围229

4.3.4技术发展趋势229

4.4 MEMS传感器网络230

4.4.1基本概念与工作原理230

4.4.2主要技术性能230

4.4.3产品应用范围231

4.4.4技术发展趋势231

第5章 MEMS与NEMS的发展趋势232

5.1概述232

5.2微机电系统发展趋势232

5.3纳机电系统发展趋势234

第6章 MEMS工艺技术237

6.1概述237

6.2表面微机械工艺238

6.2.1基本概念238

6.2.2典型工艺与技术指标238

6.2.3技术应用范围240

6.2.4技术发展趋势240

6.3体硅微机械加工工艺240

6.3.1基本概念240

6.3.2关键工艺及技术指标240

6.3.3典型工艺流程241

6.3.4技术应用范围242

6.3.5技术发展趋势242

6.4 LIGA和UV-LIGA工艺242

6.4.1基本概念242

6.4.2典型工艺与技术指标243

6.4.3技术应用范围244

6.5 MEMS封装工艺244

6.5.1基本概念244

6.5.2典型工艺与技术指标245

6.5.3技术应用范围246

6.5.4技术发展趋势246

6.6纳机电系统加工工艺246

6.6.1基本概念246

6.6.2典型工艺与技术指标247

6.6.3技术应用范围248

6.6.4技术发展趋势248

第三篇 光电子元器件250

第1章 激光器250

1.1概述250

1.2固体激光器250

1.2.1基本概念与工作原理250

2.2主要产品技术性能251

1.2.3产品应用范围254

1.2.4技术发展趋势254

1.3半导体激光器254

1.3.1基本概念与工作原理254

1.3.2主要产品技术性能255

1.3.3产品应用范围255

1.3.4技术发展趋势255

1.4泵浦用半导体激光器255

1.4.1基本概念与工作原理255

1.4.2主要产品及技术性能256

1.4.3产品应用范围256

1.4.4技术发展趋势256

1.5气体激光器257

1.5.1基本概念与工作原理257

1.5.2主要产品技术性能257

1.5.3产品应用范围257

1.5.4技术发展趋势257

第2章 红外光电及焦平面探测器组件258

2.1概述258

2.2光电导型红外探测器259

2.2.1基本概念与工作原理259

2.2.2产品主要技术性能260

2.2.3产品应用范围260

2.2.4技术发展趋势260

2.3线列HgCdTe焦平面探测器组件261

2.3.1带延时积分型线列HgCdTe焦平面探测器组件261

2.3.2不带延时积分的单线列焦平面探测器组件263

2.4凝视型HgCdTe焦平面探测器组件265

2.4.1基本概念与工作原理265

2.4.2产品主要技术性能266

2.4.3产品应用范围267

2.4.4技术发展趋势267

2.5 InSb光伏型红外焦平面探测器267

2.5.1基本概念与工作原理267

2.5.2产品主要技术性能268

2.5.3产品应用范围269

2.5.4技术发展趋势269

2.6 InGaAs短波红外焦平面组件269

2.6.1基本概念与工作原理269

2.6.2产品主要技术性能270

2.6.3产品应用范围271

2.7 PtSi焦平面探测器271

2.7.1基本概念与工作原理271

2.7.2产品主要技术性能272

2.7.3产品应用范围272

2.7.4技术发展趋势273

2.8非制冷红外焦平面探测器273

2.8.1基本概念和基本原理273

2.8.2产品主要技术性能274

2.8.3产品应用范围274

2.8.4技术发展趋势274

2.9量子阱红外焦平面探测器274

2.9.1基本概念和工作原理274

2.9.2产品主要技术性能274

2.9.3产品应用范围275

2.9.4技术发展趋势275

参考文献276

第3章 半导体光电探测器277

3.1概述277

3.2硅光电探测器278

3.2.1概述278

3.2.2主要产品技术性能278

3.2.3产品应用范围281

3.2.4技术发展趋势281

3.3 InGaAs光电探测器281

3.3.1 InGaAs PIN光电探测器281

3.3.2 InGaAs雪崩光电二极管283

3.4紫外探测器284

3.4.1基本概念与工作原理284

3.4.2产品主要技术性能285

3.4.3产品应用范围286

3.4.4技术发展趋势286

参考文献286

第4章 电荷耦合器件287

4.1概述287

4.2线阵CCD图像传感器288

4.2.1基本概念与工作原理288

4.2.2产品主要技术性能288

4.2.3产品应用范围289

4.2.4技术发展趋势289

4.3 TDI可见光CCD图像传感器290

4.3.1基本概念与工作原理290

4.3.2产品主要技术性能290

4.3.3产品应用范围291

4.3.4技术发展趋势291

4.4面阵CCD图像传感器291

4.4.1基本概念及工作原理291

4.4.2产品主要技术性能292

4.4.3产品应用范围294

4.4.4技术发展趋势294

4.5 CCD信号处理器件294

4.5.1基本概念与工作原理294

4.5.2产品主要技术性能295

4.5.3产品应用范围296

4.5.4技术发展趋势296

第5章 红外探测器用杜瓦与制冷机／器297

5.1概述297

5.2红外探测器用微型杜瓦298

5.2.1基本概念与工作原理298

5.2.2产品主要技术性能299

5.2.3产品应用范围299

5.2.4技术发展趋势299

5.3红外探测器用微型制冷机300

5.3.1基本概念与工作原理300

5.3.2产品主要技术性能301

5.3.3产品应用范围302

5.3.4技术发展趋势302

5.4节流制冷器302

5.4.1基本概念与工作原理302

5.4.2产品主要技术性能304

5.4.3产品应用范围304

5.4.4技术发展趋势304

5.5辐射制冷器304

5.5.1基本概念与工作原理305

5.5.2产品主要技术性能305

5.5.3产品应用范围306

5.5.4技术发展趋势306

5.6半导体制冷器306

5.6.1基本概念和工作原理306

5.6.2产品主要技术性能307

5.6.3产品应用范围308

第6章 微光夜视器件309

6.1概述309

6.2像增强器309

6.2.1像增强器的基本概念与工作原理309

6.2.2主要产品技术性能313

6.2.3像增强器的应用范围317

6.2.4像增强器的发展趋势318

6.3微光摄像器件318

6.3.1基本概念与工作原理318

6.3.2微光摄像器件的结构类型和性能参数318

6.3.3微光摄像器件的应用范围320

6.3.4微光摄像器件的发展趋势321

参考文献321

第7章 平板显示器322

7.1概述322

7.2液晶显示器323

7.2.1液晶显示器件工作原理323

7.2.2产品主要技术性能324

7.2.3产品应用范围325

7.2.4技术发展趋势325

7.3等离子体显示屏325

7.3.1等离子体显示工作原理325

7.3.2产品主要技术性能326

7.3.3产品应用范围326

7.3.4技术发展趋势326

7.4电致发光显示器327

7.4.1电致发光显示基本原理327

7.4.2产品主要技术性能327

7.4.3产品应用范围328

7.4.4技术发展趋势328

7.5场致发光显示器328

7.5.1场致发射显示基本原理328

7.5.2产品主要技术性能329

7.5.3产品应用范围329

7.5.4技术发展趋势329

第8章 光电信息处理器件330

8.1概述330

8.2光电集成和光子集成器件330

8.2.1基本概念与工作原理330

8.2.2产品主要技术性能331

8.2.3产品应用范围332

8.2.4技术发展趋势332

8.3光电传输组件332

8.3.1基本概念与工作原理332

8.3.2产品主要技术性能332

8.3.3产品应用范围336

8.3.4技术发展趋势336

8.4光电耦合器336

8.4.1基本概念及工作原理337

8.4.2产品主要技术性能338

8.4.3产品应用范围340

8.4.4技术发展趋势341

第9章 光纤光缆342

9.1概述342

9.2高强度耐疲劳光纤343

9.2.1基本概念与工作原理343

9.2.2主要技术性能343

9.2.3产品应用范围344

9.2.4技术发展趋势344

9.3偏振保持光纤344

9.3.1基本概念与工作原理344

9.3.2产品主要技术性能346

9.3.3产品应用范围346

9.3.4技术发展趋势346

9.4耐辐照光纤346

9.4.1基本概念与工作原理346

9.4.2产品主要技术性能347

9.4.3产品应用范围347

9.4.4技术发展趋势347

9.5掺稀土光纤348

9.5.1基本概念与工作原理348

9.5.2产品主要技术性能348

9.5.3产品应用范围349

9.5.4技术发展趋势349

9.6传能光纤350

9.6.1基本概念与工作原理350

9.6.2产品主要技术性能350

9.6.3产品应用范围351

9.6.4技术发展趋势351

9.7野战光缆351

9.7.1基本概念与工作原理351

9.7.2产品主要技术性能351

9.7.3产品应用范围352

9.7.4技术发展趋势353

9.8海底光缆353

9.8.1基本概念与工作原理353

9.8.2产品主要技术性能354

9.8.3产品应用范围355

9.8.4技术发展趋势355

9.9系留和拖曳光电复合缆355

9.9.1基本概念与工作原理355

9.9.2产品主要技术性能356

9.9.3产品应用范围357

9.9.4技术发展趋势357

9.10舰载光缆及机载光缆357

9.10.1基本概念与工作原理357

9.10.2产品主要技术性能358

9.10.3产品应用范围358

9.10.4技术发展趋势358

参考文献358

第10章 光纤器件359

10.1概述359

10.2光纤光缆连接器359

10.2.1基本概念与工作原理359

10.2.2产品主要技术性能360

10.2.3产品应用范围361

10.2.4技术发展趋势362

10.3光纤耦合器362

10.3.1基本概念与工作原理362

10.3.2产品主要技术性能362

10.3.3产品应用范围363

10.3.4技术发展趋势364

10.4波分复用器365

10.4.1基本概念与工作原理365

10.4.2产品主要技术性能365

10.4.3产品应用范围365

10.4.4技术发展趋势366

10.5光隔离器366

10.5.1基本概念与工作原理366

10.5.2产品主要技术性能367

10.5.3产品应用范围368

10.5.4技术发展趋势368

10.6光开关368

10.6.1基本概念和工作原理368

10.6.2产品主要技术性能370

10.6.3产品应用范围370

10.6.4技术发展趋势370

10.7光纤光栅371

10.7.1基本概念及工作原理371

10.7.2产品主要技术性能372

10.7.3产品应用范围373

10.7.4技术发展趋势373

10.8光纤放大器373

10.8.1基本概念与工作原理373

10.8.2产品主要技术性能374

10.8.3应用范围375

10.8.4技术发展趋势375

参考文献376

第11章 光纤传感器377

11.1概述377

11.2光纤水听器377

11.2.1基本概念与工作原理377

11.2.2产品主要技术性能378

11.2.3产品应用范围378

11.2.4技术发展趋势379

11.3光纤陀螺379

11.3.1基本概念与工作原理379

11.3.2产品主要技术性能380

11.3.3产品应用范围381

11.3.4技术发展趋势381

11.4光纤加速度计381

11.4.1基本概念与工作原理381

11.4.2产品主要技术性能382

11.4.3产品应用范围383

11.4.4技术发展趋势383

11.5光纤温度与应变传感器383

11.5.1基本概念与工作原理383

11.5.2产品主要技术性能384

11.5.3产品的应用范围385

11.5.4技术发展趋势385

11.6其他光纤传感器385

11.6.1基本概念与工作原理385

11.6.2产品主要技术性能386

11.6.3产品应用范围387

11.6.4技术发展趋势387

参考文献387

第12章 集成光学器件388

12.1概述388

12.2集成光学分（合）路器388

12.2.1基本概念与工作原理388

12.2.2产品主要技术性能389

12.2.3产品应用范围390

12.2.4技术发展趋势390

12.3集成光学强度调制器390

12.3.1基本概念与工作原理390

12.3.2产品主要技术性能390

12.3.3产品应用范围391

12.3.4技术发展趋势391

12.4集成光学相位调制器391

12.4.1基本概念与工作原理391

12.4.2产品主要技术性能391

12.4.3产品应用范围392

12.4.4技术发展趋势392

12.5集成光开关392

12.5.1基本概念与工作原理392

12.5.2产品主要技术性能392

12.5.3产品应用范围392

12.5.4技术发展趋势393

参考文献393

第13章 光电子元器件工艺394

13.1概述394

13.2半导体激光器工艺394

13.3半导体探测器工艺394

13.4红外焦平面探测器组件工艺395

13.5 CCD器件工艺396

13.6夜视器件的制造工艺396

13.6.1像管的制造工艺396

13.6.2光纤耦合的ICCD制造工艺397

13.7平板显示器件工艺397

13.8光纤器件制造工艺399

13.9光纤工艺399

第四篇 军用真空电子器件404

第1章 速调管404

1.1概述404

1.1.1发展概况404

1.1.2分类404

1.2单注速调管405

1.2.1基本概念和工作原理405

1.2.2主要技术性能406

1.2.3产品应用范围407

1.2.4技术发展趋势407

1.3多注速调管407

1.3.1基本概念和工作原理407

1.3.2主要技术性能408

1.3.3产品应用范围409

1.3.4技术发展趋势410

参考文献410

第2章 行波管411

2.1概述411

2.1.1发展概况411

2.1.2分类411

2.2螺旋线行波管412

2.2.1基本概念和工作原理412

2.2.2主要技术性能414

2.2.3产品应用范围416

2.2.4技术发展趋势417

2.3耦合腔行波管418

2.3.1基本概念和工作原理418

2.3.2主要技术性能419

2.3.3产品应用范围421

2.3.4技术发展趋势421

2.4多注行波管422

2.4.1基本概念和工作原理422

2.4.2主要技术性能422

2.4.3产品应用范围423

2.4.4技术发展趋势423

参考文献423

第3章 微波功率模块424

3.1概述424

3.1.1发展概况424

3.1.2分类424

3.2宽带连续波微波功率模块425

3.2.1基本概念和工作原理425

3.2.2主要技术性能426

3.2.3产品应用范围426

3.2.4技术发展趋势427

3.3脉冲输出微波功率模块427

3.3.1基本概念和工作原理427

3.3.2主要技术性能427

3.3.3产品应用范围428

3.3.4技术发展趋势428

参考文献428

第4章 磁控管429

4.1概述429

4.1.1发展概况429

4.1.2分类429

4.2普通脉冲磁控管430

4.2.1基本概念和工作原理430

4.2.2主要技术性能430

4.2.3产品应用范围432

4.2.4技术发展趋势433

4.3同轴磁控管433

4.3.1基本概念和工作原理433

4.3.2主要技术性能434

4.3.3产品应用范围435

4.3.4技术发展趋势435

4.4捷变频磁控管435

4.4.1基本概念和工作原理435

4.4.2主要技术性能436

4.4.3产品应用范围437

4.4.4技术发展趋势437

参考文献437

第5章 正交场放大管438

5.1概述438

5.1.1发展概况438

5.1.2分类439

5.2前向波放大管439

5.2.1基本概念和工作原理439

5.2.2主要技术性能440

5.2.3产品应用范围441

5.2.4技术发展趋势441

参考文献442

第6章 回旋管443

6.1概述443

6.1.1发展概况443

6.1.2分类444

6.2回旋振荡管444

6.2.1回旋振荡管的基本工作原理444

6.2.2主要技术性能445

6.2.3产品应用范围446

6.2.4技术发展趋势447

6.3回旋放大管447

6.3.1回旋放大管的基本工作原理447

6.3.2主要技术性能448

6.3.3产品应用范围449

6.3.4技术发展趋势450

参考文献450

第7章 高功率微波源451

7.1概述451

7.1.1发展概况451

7.1.2分类451

7.2高脉冲功率微波源451

7.2.1基本概念和工作原理451

7.2.2主要技术性能452

7.2.3产品应用范围453

7.2.4技术发展趋势453

参考文献453

第8章 气体放电器件454

8.1概述454

8.1.1发展概况454

8.1.2分类455

8.2天线开关管456

8.2.1基本概念和工作原理456

8.2.2主要技术性能457

8.2.3产品应用范围457

8.2.4技术发展趋势458

8.3氢闸流管458

8.3.1基本概念和工作原理458

8.3.2主要技术性能459

8.3.3产品应用范围459

8.3.4技术发展趋势460

8.4触发管460

8.4.1基本概念和工作原理460

8.4.2主要技术性能461

8.4.3产品应用范围462

8.4.4技术发展趋势462

8.5过压过流保护放电管463

8.5.1基本概念和工作原理463

8.5.2主要技术性能463

8.5.3产品应用范围464

8.5.4技术发展趋势464

8.6真空开关管464

8.6.1基本概念和工作原理464

8.6.2主要技术性能465

8.6.3产品应用范围465

8.6.4技术发展趋势466

参考文献466

第9章 真空显示器件467

9.1概述467

9.1.1发展概况467

9.1.2真空显示器件分类467

9.2机载平视管和下视管468

9.2.1基本概念和工作原理468

9.2.2主要技术性能469

9.2.3产品应用范围469

9.2.4技术发展趋势470

9.3头盔管470

9.3.1基本概念和工作原理470

9.3.2主要技术性能471

9.3.3产品应用范围471

9.3.4技术发展趋势471

9.4机载彩色显示管471

9.4.1基本概念和工作原理471

9.4.2主要技术性能472

9.4.3产品应用范围473

9.4.4技术发展趋势473

参考文献473

第10章 真空光电器件474

10.1概述474

10.1.1发展概况474

10.1.2分类474

10.2光电倍增管475

10.2.1基本概念与工作原理475

10.2.2主要技术性能476

10.2.3产品应用范围476

10.2.4技术发展趋势476

10.3紫外光电管477

10.3.1基本概念与工作原理477

10.3.2主要技术性能478

10.3.3产品应用范围478

10.3.4技术发展趋势479

10.4核辐射计数管479

10.4.1基本概念与工作原理479

10.4.2主要技术性能480

10.4.3产品应用范围480

10.4.4技术发展趋势480

参考文献481

第11章 军用特种光源482

11.1概述482

11.1.1发展概况482

11.1.2军用特灯分类482

11.2脉冲氙灯482

11.2.1基本概念与工作原理482

11.2.2主要技术性能483

11.2.3产品应用范围484

11.2.4技术发展趋势484

11.3飞机着陆灯、滑行灯和着陆滑行灯484

11.3.1基本概念与工作原理484

11.3.2主要技术性能484

11.3.3产品应用范围485

11.3.4技术发展趋势485

参考文献485

第12章 真空电子器件制造工艺技术486

12.1概述486

12.1.1基本概念486

12.1.2工艺技术特点486

12.1.3制造工艺流程487

12.2阴极及热子制造工艺487

12.2.1概况487

12.2.2阴极制造工艺488

12.3陶瓷—金属封接工艺491

12.3.1概况491

12.3.2陶瓷金属化工艺492

12.4制管工艺493

12.4.1概况493

12.4.2金属零件制造493

12.4.3净化493

12.4.4热处理494

12.4.5涂覆工艺494

12.4.6焊接工艺494

12.4.7装配495

12.4.8排气工艺496

12.4.9在线检漏工艺496

12.4.10测试497

参考文献498

第五篇 化学与物理电源501

第1章 原电池501

1.1概述501

1.1.1基本定义与发展概况501

1.1.2分类501

1.1.3常用原电池的主要特性比较502

1.1.4主要应用503

1.2锂／二氧化锰电池503

1.2.1基本概念与工作原理503

1.2.2主要技术性能504

1.2.3产品应用范围505

1.2.4技术发展趋势505

1.3锂／二氧化硫电池506

1.3.1基本概念与工作原理506

1.3.2主要技术性能506

1.3.3产品应用范围507

1.3.4技术发展趋势507

1.4锂／亚硫酰氯电池507

1.4.1基本概念与工作原理507

1.4.2主要技术性能508

1.4.3产品应用范围510

1.4.4技术发展趋势510

参考文献510

第2章 蓄电池511

2.1概述511

2.1.1基本定义511

2.1.2发展概况511

2.1.3基本分类512

2.2铅酸蓄电池512

2.2.1基本概念与工作原理512

2.2.2主要技术性能514

2.2.3产品应用范围515

2.2.4技术发展趋势515

2.3锌氧化银蓄电池515

2.3.1基本概念与工作原理515

2.3.2主要技术性能516

2.3.3产品应用范围517

2.3.4技术发展趋势517

2.4镉镍蓄电池518

2.4.1基本概念与工作原理518

2.4.2主要技术性能519

2.4.3产品应用范围521

2.4.4技术发展趋势521

2.5金属氢化物镍蓄电池521

2.5.1基本概念与工作原理521

2.5.2产品主要技术性能522

2.5.3产品应用范围522

2.5.4技术发展趋势522

2.6氢镍蓄电池523

2.6.1基本概念与工作原理523

2.6.2产品分类及其主要技术性能524

2.6.3产品应用范围526

2.6.4技术发展趋势526

2.7锂离子蓄电池527

2.7.1基本概念与工作原理527

2.7.2产品主要技术性能529

2.7.3产品应用范围531

2.7.4技术发展趋势532

2.8超级电容器532

2.8.1基本概念与工作原理532

2.8.2主要技术性能533

2.8.3产品应用范围535

2.8.4技术发展趋势535

参考文献535

第3章 储备电池536

3.1概述536

3.1.1基本概念536

3.1.2分类、特点与应用536

3.1.3常用储备电池系列的主要特性536

3.2锌氧化银储备电池537

3.2.1基本概念与工作原理537

3.2.2主要技术性能538

3.2.3产品应用范围539

3.2.4发展趋势540

3.3热电池540

3.3.1基本概念与工作原理540

3.3.2产品分类与主要技术性能541

3.3.3产品应用范围542

3.3.4技术发展趋势543

3.4水激活电池543

3.4.1基本概念与工作原理543

3.4.2典型产品与主要技术性能544

3.4.3产品应用范围545

3.4.4发展趋势545

参考文献546

第4章 燃料电池547

4.1概述547

4.1.1基本概念547

4.1.2特点547

4.1.3分类、特征及应用547

4.2碱性燃料电池548

4.2.1基本概念与工作原理548

4.2.2基本技术性能549

4.2.3产品应用范围550

4.2.4技术发展趋势550

4.3质子交换膜燃料电池550

4.3.1基本概念与工作原理550

4.3.2主要技术性能551

4.3.3产品应用范围551

4.3.4技术发展趋势552

4.4甲醇质子交换膜燃料电池552

4.4.1基本概念与工作原理552

4.4.2主要技术性能552

4.4.3产品应用范围552

4.4.4技术发展趋势553

4.5再生式燃料电池553

4.5.1基本概念与工作原理553

4.5.2主要技术性能553

4.5.3产品应用范围554

4.5.4技术发展趋势555

第5章 太阳电池556

5.1概述556

5.1.1基本定义和特点556

5.1.2发展概况556

5.1.3分类557

5.2硅太阳电池557

5.2.1基本概念和工作原理557

5.2.2产品分类及其主要技术性能558

5.2.3产品应用范围559

5.2.4技术发展趋势559

5.3砷化镓太阳电池559

5.3.1基本概念和工作原理559

5.3.2产品分类及其主要技术性能560

5.3.3产品应用范围561

5.3.4技术发展趋势561

5.4薄膜太阳电池562

5.4.1基本概念和工作原理562

5.4.2产品分类及其主要技术性能563

5.4.3产品应用范围563

5.4.4技术发展趋势563

5.5聚光太阳电池564

5.5.1基本概念和工作原理564

5.5.2产品分类及其主要技术性能564

5.5.3产品应用范围564

5.5.4技术发展趋势565

参考文献565

第6章 温差发电器566

6.1概述566

6.2基本概念和原理566

6.3产品分类及基本技术性能567

6.3.1产品分类567

6.3.2主要技术性能568

6.4产品应用范围569

6.5技术发展趋势569

第7章 化学与物理电源的制造工艺571

7.1概述571

7.2化学电源产品的典型制造工艺572

7.2.1电极的分类与工艺要求572

7.2.2典型电极制造工艺573

7.2.3典型电池组装工艺574

7.3物理电源产品的典型制造工艺575

7.3.1太阳电池基本制造工艺575

7.3.2温差发电器制造工艺575

第六篇 特种元器件579

第1章 物理量传感器579

1.1概述579

1.1.1基本分类579

1.1.2发展概况579

1.1.3物理量传感器的发展趋势580

1.2力敏元件581

1.2.1基本概念和工作原理581

1.2.2产品分类及其主要技术性能581

1.2.3产品应用范围583

1.2.4技术发展趋势583

1.3力与力矩传感器583

1.3.1基本概念和工作原理583

1.3.2主要技术性能583

1.3.3产品应用范围584

1.3.4技术发展趋势584

1.4压力传感器584

1.4.1基本概念和工作原理584

1.4.2主要技术性能585

1.4.3产品应用范围585

1.4.4技术发展趋势586

1.5位移传感器586

1.5.1基本概念和工作原理586

1.5.2主要技术性能586

1.5.3产品应用范围587

1.5.4技术发展趋势587

1.6加速度传感器587

1.6.1基本概念和工作原理587

1.6.2主要技术性能588

1.6.3产品应用范围589

1.6.4技术发展趋势589

1.7流量与流速传感器590

1.7.1基本概念及工作原理590

1.7.2主要技术性能590

1.7.3产品应用范围591

1.7.4技术发展趋势591

1.8铂膜热敏电阻与传感器591

1.8.1基本概念和工作原理591

1.8.2主要技术性能592

1.8.3产品应用范围593

1.8.4技术发展趋势593

1.9锰铜薄膜超高压力传感器593

1.9.1基本概念及工作原理593

1.9.2主要技术性能595

1.9.3产品应用范围595

1.9.4技术发展趋势595

参考文献595

第2章 化学量传感器596

2.1概述596

2.2电容型湿度传感器598

2.2.1基本概念及工作原理598

2.2.2主要技术性能598

2.2.3产品应用范围599

2.2.4技术发展趋势599

2.3氧气传感器599

2.3.1 Zr02系氧气传感器599

2.3.2光纤氧气传感器601

2.4溴气传感器602

2.4.1基本概念与工作原理602

2.4.2主要技术性能603

2.4.3产品应用范围603

2.4.4技术发展趋势603

2.5一氧化碳传感器604

2.5.1基本概念与工作原理604

2.5.2主要技术性能604

2.5.3产品应用范围605

2.5.4技术发展趋势605

2.6氯气传感器605

2.6.1基本概念与工作原理605

2.6.2主要技术性能606

2.6.3产品应用范围606

2.6.4技术发展趋势606

2.7烟雾传感器606

2.7.1基本概念及工作原理606

2.7.2主要技术性能607

2.7.3产品应用范围607

2.7.4技术发展趋势607

2.8微集成光学气体传感器607

2.8.1基本概念与工作原理607

2.8.2主要技术性能608

2.8.3产品应用范围608

2.8.4技术发展趋势609

2.9场效应管型微集成NOx传感器阵列609

2.9.1基本概念及工作原理609

2.9.2主要技术性能610

2.9.3产品应用范围611

2.9.4技术发展趋势611

2.10多功能组合传感器611

2.10.1基本概念及工作原理611

2.10.2主要技术性能611

2.10.3产品应用范围612

2.10.4技术发展趋势612

参考文献613

第3章 生物传感器614

3.1概述614

3.2声表面波生化传感器615

3.2.1基本概念与工作原理615

3.2.2主要技术性能616

3.2.3产品应用范围616

3.2.4技术发展趋势617

参考文献617

第4章 微波／毫米波磁性元器件618

4.1概述618

4.2环行器／隔离器619

4.2.1基本概念与工作原理619

4.2.2主要技术性能620

4.2.3产品应用范围622

4.2.4技术发展趋势622

4.3磁调谐滤波器622

4.3.1基本概念与工作原理622

4.3.2主要技术性能623

4.3.3产品应用范围623

4.3.4技术发展趋势624

4.4磁调谐振荡器624

4.4.1基本概念与工作原理624

4.4.2主要技术性能625

4.4.3产品应用范围625

4.4.4技术发展趋势625

4.5磁调谐组件625

4.5.1基本概念与工作原理625

4.5.2主要技术性能626

4.5.3产品应用范围627

4.5.4技术发展趋势627

4.6铁氧体移相器627

4.6.1基本概念与工作原理627

4.6.2主要技术性能628

4.6.3产品应用范围629

4.6.4技术发展趋势629

4.7铁氧体变极化器629

4.7.1基本概念与工作原理629

4.7.2主要技术性能630

4.7.3产品应用范围630

4.7.4技术发展趋势630

4.8铁氧体开关与调制器631

4.8.1基本概念与工作原理631

4.8.2主要技术性能631

4.8.3产品应用范围631

4.8.4技术发展趋势632

4.9静磁波器件632

4.9.1基本概念与工作原理632

4.9.2主要技术性能632

4.9.3产品应用范围633

4.9.4技术发展趋势634

参考文献634

第5章 软磁与抗电磁干扰元器件635

5.1概述635

5.2射频铁氧体宽带元器件636

5.2.1基本概念与工作原理636

5.2.2主要技术性能636

5.2.3产品应用范围637

5.2.4技术发展趋势637

5.3高功率软磁元器件637

5.3.1基本概念与工作原理637

5.3.2主要技术性能637

5.3.3产品应用范围638

5.3.4技术发展趋势638

5.4高导软磁铁氧体元器件638

5.4.1基本概念与工作原理638

5.4.2主要技术性能639

5.4.3产品应用范围639

5.4.4技术发展趋势639

5.5电磁干扰／射频干扰抑制铁氧体元器件640

5.5.1基本概念与工作原理640

5.5.2主要技术性能641

5.5.3产品应用范围642

5.5.4技术发展趋势642

参考文献643

第6章 军用永磁元件644

6.1概述644

6.2铝镍钴系列元件646

6.2.1基本概念与工作原理646

6.2.2主要技术性能646

6.2.3产品应用范围646

6.2.4技术发展趋势647

6.3铁氧体系列元件647

6.3.1基本概念与工作原理647

6.3.2主要技术性能648

6.3.3产品应用范围648

6.3.4技术发展趋势648

6.4稀土永磁系列元件648

6.4.1基本概念与工作原理648

6.4.2主要技术性能648

6.4.3产品应用范围649

6.4.4技术发展趋势650

参考文献650

第7章 声表面波器件651

7.1概述651

7.2声表面波滤波器及滤波器组652

7.2.1基本概念与工作652

7.2.2主要技术性能652

7.2.3产品应用范围654

7.2.4技术发展趋势654

7.3声表面波振荡器654

7.3.1基本概念与工作原理654

7.3.2主要技术性能655

7.3.3产品的应用范围655

7.3.4技术发展趋势655

7.4声表面波延迟线656

7.4.1基本概念与工作原理656

7.4.2主要技术性能指标656

7.4.3产品应用范围656

7.4.4技术发展趋势656

7.5声表面波色散延迟线656

7.5.1基本概念与工作原理656

7.5.2主要技术性能指标657

7.5.3产品应用范围657

7.5.4技术发展趋势658

7.6声表面波可编程相关器658

7.6.1基本概念与工作原理658

7.6.2主要技术性能658

7.6.3产品应用范围659

7.6.4技术发展趋势659

7.7声表面波频率合成器659

7.7.1基本概念与工作原理659

7.7.2主要技术性能659

7.7.3主要应用范围660

7.7.4技术发展趋势660

参考文献660

第8章 体声波器件661

8.1概述661

8.2体声波微波延迟线661

8.2.1基本概念与工作原理661

8.2.2主要技术性能662

8.2.3产品应用范围662

8.2.4技术发展趋势663

8.3薄膜体声波谐振器663

8.3.1基本概念与工作原理663

8.3.2主要技术性能663

8.3.3产品应用范围664

8.3.4技术发展趋势664

参考文献665

第9章 声光元器件666

9.1概述666

9.2声光调制器667

9.2.1基本概念与工作原理667

9.2.2主要技术性能667

9.2.3产品应用范围668

9.2.4技术发展趋势668

9.3声光Q开关668

9.3.1基本概念与工作原理668

9.3.2主要技术性能669

9.3.3产品应用范围669

9.3.4技术发展趋势669

9.4声光移频器670

9.4.1基本概念与工作原理670

9.4.2主要技术性能670

9.4.3声光移频器产品应用范围670

9.4.4技术发展趋势670

9.5声光偏转器671

9.5.1基本概念与工作原理671

9.5.2主要技术性能671

9.5.3产品应用范围672

9.5.4技术发展趋势672

9.6声光可调滤光器672

9.6.1基本概念与工作原理672

9.6.2主要技术性能672

9.6.3产品应用范围673

9.6.4技术发展趋势673

参考文献673

第10章 振动惯性器件674

10.1概述674

10.1.1概念与分类674

10.1.2基本原理674

10.1.3发展历程与展望675

10.1.4特点和应用675

10.2压电陀螺676

10.2.1基本概念和工作原理676

10.2.2主要技术性能677

10.2.3产品应用范围677

10.2.4技术发展趋势678

10.3石英微机械振动陀螺678

10.3.1基本概念和工作原理678

10.3.2主要技术性能679

10.3.3产品应用范围679

10.3.4技术发展趋势680

10.4半球谐振陀螺仪680

10.4.1基本概念和工作原理680

10.4.2主要技术性能681

10.4.3产品应用范围681

10.4.4技术发展趋势681

10.5石英振梁加速度计682

10.5.1基本概念和工作原理682

10.5.2主要技术性能682

10.5.3产品应用范围683

10.5.4技术发展趋势683

参考文献683

第11章 特种元器件基本工艺684

11.1传感器主要工艺684

11.1.1薄膜工艺概述684

11.1.2陶瓷工艺685

11.2磁性器件主要工艺687

11.2.1旋磁器件主要工艺688

11.2.2软磁与抗电磁干扰器件主要工艺689

11.2.3永磁器件主要工艺690

11.3声表器件工艺690

11.3.1概述690

11.3.2基本工艺691

11.3.3声表器件工艺的发展趋势692

参考文献692

第七篇 机电组件与通用元件694

第1章 微特电机694

1.1自整角机、旋转变压器、轴角编码器组件694

1.1.1自整角机694

1.1.2旋转变压器696

1.1.3多极和双通道旋转变压器697

1.1.4旋转变压器型轴角编码器组件699

1.2直流电动机700

1.2.1永磁直流电动机700

1.2.2永磁直流伺服电动机700

1.2.3永磁直流力矩电动机701

1.2.4空心杯电枢永磁式直流伺服电动机702

1.3异步电动机703

1.3.1交流伺服电动机703

1.3.2中频异步电动机703

1.4同步电动机704

1.4.1基本概念与工作原理704

1.4.2主要技术性能704

1.4.3产品应用范围704

1.5步进电动机704

1.5.1基本概念与工作原理704

1.5.2主要技术性能705

1.5.3产品应用范围705

1.6无刷永磁直流电动机705

1.6.1无刷直流电动机706

1.6.2无刷直流力矩电动机706

1.6.3永磁交流伺服电动机707

1.7测速机、发电机708

1.7.1空心杯转子交流测速发电机708

1.7.2直流测速发电机、永磁直流低速测速发电机709

1.7.3航空发电机710

1.7.4中频发电机及机组711

1.8微特电机技术发展趋势712

参考文献713

第2章 继电器714

2.1电磁继电器714

2.1.1基本概念与工作原理714

2.1.2主要技术性能715

2.1.3产品应用范围716

2.2固体继电器716

2.2.1基本概念与工作原理716

2.2.2主要技术性能717

2.2.3产品应用范围718

2.3延时继电器719

2.3.1基本概念与工作原理719

2.3.2主要技术性能720

2.3.3产品应用范围720

2.4特种继电器720

2.4.1射频继电器721

2.4.2温度继电器721

2.4.3断路器721

2.4.4高压真空继电器722

2.4.5其他特种继电器722

2.5技术发展趋势722

参考文献723

第3章 电连接器与开关724

3.1低频连接器724

3.1.1基本概念与工作原理724

3.1.2主要技术性能725

3.1.3产品应用范围726

3.2射频连接器726

3.2.1基本概念与工作原理726

3.2.2主要技术性能728

3.2.3产品应用范围728

3.3特种连接器729

3.3.1基本概念与工作原理729

3.3.2主要技术性能730

3.3.3产品应用范围730

3.4插座730

3.4.1基本概念与工作原理731

3.4.2主要技术性能731

3.4.3产品应用范围731

3.5开关731

3.5.1基本概念与工作原理732

3.5.2主要技术性能732

3.5.3产品应用范围733

3.6连接器与开关技术发展趋势733

参考文献733

第4章 电传输线734

4.1对称电缆734

4.1.1基本概念与工作原理734

4.1.2主要技术性能734

4.1.3产品应用范围735

4.2同轴电缆736

4.2.1基本概念与工作原理736

4.2.2主要技术性能736

4.2.3产品应用范围737

4.3特种线缆737

4.3.1基本概念与工作原理737

4.3.2主要技术性能738

4.3.3产品应用范围738

4.4波导738

4.4.1基本概念与工作原理738

4.4.2主要技术性能739

4.4.3产品应用范围739

4.5技术发展趋势739

参考文献740

第5章 电阻器、电位器741

5.1电阻器741

5.1.1薄膜电阻器741

5.1.2片式电阻器742

5.1.3精密箔式电阻器743

5.1.4微波大功率负载电阻744

5.1.5衰减器745

5.2电位器746

5.2.1片式电位器746

5.2.2精密线绕电位器747

5.2.3导电塑料电位器748

5.3热敏电阻器749

5.3.1主要技术性能750

5.3.2产品应用范围751

5.3.3技术发展趋势751

5.3.4主要工艺流程751

5.4氧化锌压敏电阻器751

5.4.1主要技术性能753

5.4.2产品应用范围754

5.4.3技术发展趋势754

5.4.4主要工艺流程754

参考文献754

第6章 电容器755

6.1有机薄膜电容器755

6.1.1聚苯硫醚薄膜电容器755

6.1.2片式有机薄膜电容器756

6.1.3高比能高压脉冲金属化聚丙烯薄膜电容器757

6.1.4高频脉冲聚丙烯薄膜电容器757

6.1.5有机薄膜电容器技术发展趋势758

6.1.6主要工艺流程758

6.2陶瓷电容器758

6.2.1高可靠多层瓷介电容器759

6.2.2微波高Q／射频大功率电容器760

6.2.3大容量761

6.2.4高压MLCC761

6.2.5高温MLCC761

6.2.6陶瓷电容器材料和工艺762

6.3云母电容器762

6.3.1主要技术性能763

6.3.2产品应用范围763

6.3.3技术发展趋势763

6.3.4主要工艺流程763

6.4铝电解电容器763

6.4.1主要技术性能765

6.4.2产品应用范围765

6.4.3技术发展趋势765

6.4.4主要工艺流程765

6.5钽电容器765

6.5.1主要技术性能767

6.5.2产品应用范围768

6.5.3技术发展趋势768

6.5.4工艺流程768

6.6聚合物固体电解质电解电容器768

6.6.1主要技术性能769

6.6.2产品应用范围770

6.6.3技术发展趋势770

6.6.4主要工艺流程770

参考文献770

第7章 复合元件和集成无源元件771

7.1射频干扰／电磁干扰抑制滤波器771

7.1.1电连接器用EMI滤波阵列771

7.1.2片式多层EMI滤波器772

7.1.3 EMP滤波连接器773

7.1.4馈通型滤波器与电源滤波器774

7.1.5 EMI滤波器技术发展趋势774

7.2 LC复合带通滤波器775

7.3电阻网络与阻容网络776

7.3.1主要技术性能777

7.3.2产品应用范围777

7.3.3技术发展趋势777

7.3.4主要工艺流程777

7.4平衡—不平衡变换器777

7.5微波介质器件778

7.6集成无源元件779

7.6.1产品应用范围779

7.6.2技术发展趋势779

7.6.3主要工艺流程779

参考文献780

第8章 压电晶体器件781

8.1晶体谐振器781

8.1.1主要技术性能782

8.1.2产品应用范围782

8.1.3技术发展趋势782

8.2普通晶体振荡器783

8.2.1主要技术性能783

8.2.2技术发展趋势783

8.3压控振荡器783

8.3.1主要技术性能783

8.3.2产品应用范围784

8.3.3技术发展趋势784

8.4温度补偿晶体振荡器784

8.4.1主要技术性能784

8.4.2产品应用范围784

8.4.3技术发展趋势784

8.5数字温度补偿晶体振荡器784

8.5.1主要技术性能785

8.5.2产品应用范围785

8.5.3技术发展趋势785

8.6恒温晶体振荡器785

8.6.1主要技术性能786

8.6.2产品应用范围786

8.6.3技术发展趋势786

8.7晶体滤波器786

8.7.1主要技术性能787

8.7.2产品应用范围787

8.7.3技术发展趋势787

8.8主要工艺流程787

参考文献788

第八篇 支撑技术790

第1章 电子信息材料790

1.1概述790

1.2半导体材料791

1.2.1基本概念与工作原理791

1.2.2主要技术性能791

1.2.3产品应用范围792

1.2.4技术发展趋势792

1.3 SOI材料792

1.3.1基本概念与工作原理792

1.3.2主要技术性能793

1.3.3产品应用范围793

1.3.4技术发展趋势793

1.4激光晶体材料793

1.4.1基本概念与工作原理793

1.4.2主要技术性能794

1.4.3产品应用范围794

1.4.4技术发展趋势794

1.5红外探测材料794

1.5.1基本概念与工作原理794

1.5.2主要技术性能795

1.5.3产品应用范围795

1.5.4技术发展趋势795

1.6压电晶体材料796

1.6.1基本概念与工作原理796

1.6.2主要技术性能796

1.6.3产品应用范围796

1.6.4技术发展趋势796

1.7磁性材料797

1.7.1基本概念与工作原理797

1.7.2制备工艺与主要技术性能797

1.7.3产品应用范围798

1.7.4技术发展趋势798

1.8真空电子器件用陶瓷材料799

1.8.1基本概念799

1.8.2主要性能799

1.8.3产品应用范围800

1.8.4技术发展趋势800

1.9真空电子器件用金属材料800

1.9.1基本概念800

1.9.2主要技术性能800

1.9.3产品应用范围801

1.9.4技术发展趋势801

1.10元器件封装关键材料801

1.10.1基本概念801

1.10.2陶瓷封装材料802

1.10.3金属封装材料802

1.10.4金属基复合封装材料803

1.10.5技术发展趋势804

参考文献804

第2章 专用设备805

2.1概述805

2.2单晶炉806

2.2.1基本概念及工作原理806

2.2.2主要技术性能807

2.2.3产品应用范围807

2.2.4技术发展趋势807

2.3内圆切片机807

2.3.1基本概念及工作原理807

2.3.2主要技术性能807

2.3.3产品应用范围807

2.3.4技术发展趋势808

2.4硅片倒角机808

2.4.1基本概念及工作原理808

2.4.2主要技术性能808

2.4.3产品应用范围808

2.4.4技术发展趋势808

2.5气相外延炉808

2.5.1基本概念及工作原理808

2.5.2主要技术性能809

2.5.3产品应用范围809

2.5.4技术发展趋势809

2.6分子束外延系统809

2.6.1基本概念及工作原理809

2.6.2主要技术性能810

2.6.3产品应用范围810

2.6.4技术发展趋势810

2.7立式氧化炉810

2.7.1基本概念及工作原理810

2.7.2主要技术性能811

2.7.3产品应用范围811

2.7.4技术发展趋势811

2.8低压化学气相淀积系统811

2.8.1基本概念及工作原理811

2.8.2主要技术性能812

2.8.3产品应用范围812

2.8.4技术发展趋势812

2.9等离子体