图书介绍
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- (美)Ulrich L.Rohde,(美)David P.Newkirk著;刘光祜,张玉兴译 著
- 出版社: 北京:电子工业出版社
- ISBN:7121001535
- 出版时间:2004
- 标注页数:764页
- 文件大小:50MB
- 文件页数:779页
- 主题词:无线电通信-射频电路:微波电路-电路设计
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图书目录
目录1
第1章 无线电路设计基础1
1-1 概述1
1-2 系统功能2
1-3 无线信道和调制要求4
1-3-1 引言4
1-3-2 信道冲激响应6
1-3-3 多普勒效应9
1-3-4 传递函数11
1-3-5 信道冲激响应的时间响应和传输函数11
1-3-6 研究总结12
1-3-7 无线信号举例:GSM中的TDMA系统14
1-4 关于比特、符号和波形23
1-4-1 引言23
1-4-2 数字调制技术基础30
1-5 无线系统分析38
1-5-1 模拟与数字接收机设计38
1-5-2 发射机46
1-6 框图组成63
1-7 系统性能及其与电路设计的关系67
1-7-1 系统噪声和噪声基底67
1-7-2 系统幅度和相位特性71
1-8-2 发射和接收质量93
1-8-1 引言93
1-8 测试93
1-8-3 基站仿真96
1-8-4 GSM96
1-8-5 DECT97
1-9 C/N或SNR到Eb/No的变换97
第2章 有源器件模型102
2-1 二极管102
2-1-1 大信号二极管模型103
2-1-2 混频器和检波二极管105
2-1-3 PIN二极管113
2-1-4 调谐二极管127
2-2-1 晶体管的结构类型161
2-2 双极型晶体管161
2-2-2 双极型晶体管的大信号性能162
2-2-3 正向有源区的大信号晶体管179
2-2-4 集电极电压对晶体管正向有源区大信号性能的影响184
2-2-5 饱和区及反向有源区185
2-2-6 双极型晶体管的小信号模型189
2-3 场效应晶体管194
2-3-1 JFET的大信号性能202
2-3-2 JFET的小信号性能207
2-3-3 MOSFET的大信号行为210
2-3-4 MOS管饱和区的小信号模型216
2-3-5 FET的短沟道效应218
2-3-6 MOSFET的小信号模型223
2-3-7 GaAs MESFET251
2-3-8 小信号GaAsMESFET模型258
2-4 有源器件参数的提取270
2-4-1 引言270
2-4-2 典型的SPICE参数270
2-4-3 噪声建模271
2-4-4 缩尺器件模型278
2-4-5 结论294
2-4-6 器件库295
2-4-7 在低电压和近夹断电压情况下的一种新的仿真方法295
2-4-8 实例:改进BRF193W模型304
3-1-1 引言308
第3章 基于BJT与FET的放大器设计308
3-1 放大器的特性308
3-1-2 增益312
3-1-3 噪声系数(NF)316
3-1-4 线性特性338
3-1-5 自动增益控制(AGC)350
3-1-6 偏置和电源电压与电流(功耗)357
3-2 放大器的增益、稳定性和匹配359
3-2-1 S参数关系361
3-2-2 低噪声放大器364
3-2-3 高增益放大器379
3-2-4 低电压集电极开路设计388
3-2-5 灵活匹配电路393
3-3 单级反馈放大器396
3-3-1 无损耗或无噪反馈400
3-3-2 宽带匹配400
3-4 两级放大器401
3-5 三级或多级放大器409
3-5-1 多级放大器的稳定性414
3-6 一种压控调谐滤波器的新方法及其CAD确认414
3-6-1 二极管性能414
3-6-2 VHF例子417
3-6-3 HF/VHF压控滤波器419
3-6-4 改善VHF滤波器421
3-6-5 总结422
3-7 差动放大器423
3-8 二倍频器426
3-9 有自动增益控制(AGC)的多级放大器430
3-10 偏置432
3-10-1 RF偏置439
3-10-2 直流偏置439
3-10-3 集成放大器的直流偏置电路443
3-11 推挽/并联放大器444
3-12 功率放大器445
3-12-1 实例1:输出为7 W的1.6 GHz C类BJT功率放大器446
3-12-2 用于射频功率晶体管的阻抗匹配网络457
3-12-3 实例2:低噪声分布参数放大器474
3-12-4 实例3:用CLY15的1 W放大器479
3-12-5 实例4:430 MHz,90 W推挽BJT放大器484
3-12-6 能改善线性度的准并联晶体管486
3-12-7 分配放大器487
3-12-8 功率放大器的稳定性分析487
3-13 功率放大器的数据表和厂家推荐的应用494
第4章 混频器设计519
4-1 概述519
4-2 混频器的性质521
4-2-1 变频增益(损耗)521
4-2-2 噪声系数522
4-2-3 线性526
4-2-4 本振激励电平527
4-2-5 端口间隔离度527
4-2-6 端口VSWR529
4-2-7 直流失调529
4-2-8 直流极性529
4-2-9 功率消耗529
4-3 二极管混频器530
4-3-1 单二极管混频器530
4-3-2 单平衡混频器533
4-3-3 二极管环形混频器536
4-4-1 BJT希尔伯特单元552
4-4 晶体管混频器552
4-4-2 带反馈的BJT希尔伯特单元555
4-4-3 FET混频器562
4-4-4 MOSFET希尔伯特单元565
4-4-5 GaAsFET单栅开关566
第5章 射频无线振荡器587
5-1 频率控制引言587
5-2 背景587
5-3 振荡器设计588
5-3-1 振荡器基础589
5-4-1 Hartley(哈特利)600
5-4 振荡器电路600
5-4-2 Colpitts(科耳皮兹)601
5-4-3 Clapp-Gouriet(克拉普-考瑞特)602
5-5 射频(RF)振荡器设计602
5-5-1 晶体管振荡器总体构思602
5-5-2 双口微波/射频振荡器设计606
5-5-3 陶瓷谐振器振荡器608
5-5-4 使用微带电感作为振荡器的谐振器611
5-5-5 哈特利微带谐振器振荡器616
5-5-6 晶体振荡器616
5-5-7 压控振荡器621
5-5-8 调谐二极管谐振电路624
5-5-9 实用电路627
5-6-1 振荡器相位噪声计算的线性化方法633
5-6 振荡器中的噪声633
5-6-2 AM到PM转换641
5-6-3 计算振荡器相位噪声的非线性方法648
5-7 实际使用中的振荡器659
5-7-1 振荡器的指标659
5-7-2 更实际的电路660
5-8 使用CAD设计RF振荡器668
5-8-1 谐波平衡仿真668
5-8-2 时域仿真670
5-9 集成射频和毫米波振荡器的相位噪声改善672
5-9-1 概述672
5-9-2 回顾噪声分析673
5-9-3 工作环境674
5-9-4 减小闪烁噪声676
5-9-5 集成振荡器应用678
5-9-6 总结681
第6章 射频频率合成器687
6-1 引言687
6-2 锁相环(PLL)687
6-2-1 PLL基础687
6-2-2 相位频率比较器689
6-2-3 提供电压输出的鉴相器的滤波器699
6-2-4 基于电荷泵的锁相环702
6-2-5 应用CAD进行实际的PLL设计709
6-3-1 分数N分频原理713
6-3 分数N分频锁相频率合成713
6-3-2 杂散抑制技术714
6-4 直接数字合成722
附录A HBT高频建模和完整参数的提取731
A-1 引言731
A-2 高频HBT建模732
A-2-1 直流与小信号模型733
A-2-2 线性化T模型734
A-2-3 线性化混合π模型735
A-3 完全参数提取737
A-3-1 完全参数提取的公式737
A-3-2 模型优化737
A-4 噪声模型的验证738
A-5 HBT模型参数提取741
A-6 结论741
附录B 应用多谐波负载牵引仿真技术进行非线性微波电路设计751
B-1 引言751
B-2 运用谐波平衡法的多谐波负载牵引仿真751
B-2-1 多谐波负载牵引仿真公式751
B-2-2 系统的设计过程752
B-3 多谐波负载牵引仿真的应用754
B-3-1 窄带功率放大器设计754
B-3-2 倍频器设计760
B-4 总结762
B-5 基于负载牵引设计的实用性的注意事项764