图书介绍

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无线应用射频微波电路设计
  • (美)Ulrich L.Rohde,(美)David P.Newkirk著;刘光祜,张玉兴译 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:7121001535
  • 出版时间:2004
  • 标注页数:764页
  • 文件大小:50MB
  • 文件页数:779页
  • 主题词:无线电通信-射频电路:微波电路-电路设计

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图书目录

目录1

第1章 无线电路设计基础1

1-1 概述1

1-2 系统功能2

1-3 无线信道和调制要求4

1-3-1 引言4

1-3-2 信道冲激响应6

1-3-3 多普勒效应9

1-3-4 传递函数11

1-3-5 信道冲激响应的时间响应和传输函数11

1-3-6 研究总结12

1-3-7 无线信号举例:GSM中的TDMA系统14

1-4 关于比特、符号和波形23

1-4-1 引言23

1-4-2 数字调制技术基础30

1-5 无线系统分析38

1-5-1 模拟与数字接收机设计38

1-5-2 发射机46

1-6 框图组成63

1-7 系统性能及其与电路设计的关系67

1-7-1 系统噪声和噪声基底67

1-7-2 系统幅度和相位特性71

1-8-2 发射和接收质量93

1-8-1 引言93

1-8 测试93

1-8-3 基站仿真96

1-8-4 GSM96

1-8-5 DECT97

1-9 C/N或SNR到Eb/No的变换97

第2章 有源器件模型102

2-1 二极管102

2-1-1 大信号二极管模型103

2-1-2 混频器和检波二极管105

2-1-3 PIN二极管113

2-1-4 调谐二极管127

2-2-1 晶体管的结构类型161

2-2 双极型晶体管161

2-2-2 双极型晶体管的大信号性能162

2-2-3 正向有源区的大信号晶体管179

2-2-4 集电极电压对晶体管正向有源区大信号性能的影响184

2-2-5 饱和区及反向有源区185

2-2-6 双极型晶体管的小信号模型189

2-3 场效应晶体管194

2-3-1 JFET的大信号性能202

2-3-2 JFET的小信号性能207

2-3-3 MOSFET的大信号行为210

2-3-4 MOS管饱和区的小信号模型216

2-3-5 FET的短沟道效应218

2-3-6 MOSFET的小信号模型223

2-3-7 GaAs MESFET251

2-3-8 小信号GaAsMESFET模型258

2-4 有源器件参数的提取270

2-4-1 引言270

2-4-2 典型的SPICE参数270

2-4-3 噪声建模271

2-4-4 缩尺器件模型278

2-4-5 结论294

2-4-6 器件库295

2-4-7 在低电压和近夹断电压情况下的一种新的仿真方法295

2-4-8 实例:改进BRF193W模型304

3-1-1 引言308

第3章 基于BJT与FET的放大器设计308

3-1 放大器的特性308

3-1-2 增益312

3-1-3 噪声系数(NF)316

3-1-4 线性特性338

3-1-5 自动增益控制(AGC)350

3-1-6 偏置和电源电压与电流(功耗)357

3-2 放大器的增益、稳定性和匹配359

3-2-1 S参数关系361

3-2-2 低噪声放大器364

3-2-3 高增益放大器379

3-2-4 低电压集电极开路设计388

3-2-5 灵活匹配电路393

3-3 单级反馈放大器396

3-3-1 无损耗或无噪反馈400

3-3-2 宽带匹配400

3-4 两级放大器401

3-5 三级或多级放大器409

3-5-1 多级放大器的稳定性414

3-6 一种压控调谐滤波器的新方法及其CAD确认414

3-6-1 二极管性能414

3-6-2 VHF例子417

3-6-3 HF/VHF压控滤波器419

3-6-4 改善VHF滤波器421

3-6-5 总结422

3-7 差动放大器423

3-8 二倍频器426

3-9 有自动增益控制(AGC)的多级放大器430

3-10 偏置432

3-10-1 RF偏置439

3-10-2 直流偏置439

3-10-3 集成放大器的直流偏置电路443

3-11 推挽/并联放大器444

3-12 功率放大器445

3-12-1 实例1:输出为7 W的1.6 GHz C类BJT功率放大器446

3-12-2 用于射频功率晶体管的阻抗匹配网络457

3-12-3 实例2:低噪声分布参数放大器474

3-12-4 实例3:用CLY15的1 W放大器479

3-12-5 实例4:430 MHz,90 W推挽BJT放大器484

3-12-6 能改善线性度的准并联晶体管486

3-12-7 分配放大器487

3-12-8 功率放大器的稳定性分析487

3-13 功率放大器的数据表和厂家推荐的应用494

第4章 混频器设计519

4-1 概述519

4-2 混频器的性质521

4-2-1 变频增益(损耗)521

4-2-2 噪声系数522

4-2-3 线性526

4-2-4 本振激励电平527

4-2-5 端口间隔离度527

4-2-6 端口VSWR529

4-2-7 直流失调529

4-2-8 直流极性529

4-2-9 功率消耗529

4-3 二极管混频器530

4-3-1 单二极管混频器530

4-3-2 单平衡混频器533

4-3-3 二极管环形混频器536

4-4-1 BJT希尔伯特单元552

4-4 晶体管混频器552

4-4-2 带反馈的BJT希尔伯特单元555

4-4-3 FET混频器562

4-4-4 MOSFET希尔伯特单元565

4-4-5 GaAsFET单栅开关566

第5章 射频无线振荡器587

5-1 频率控制引言587

5-2 背景587

5-3 振荡器设计588

5-3-1 振荡器基础589

5-4-1 Hartley(哈特利)600

5-4 振荡器电路600

5-4-2 Colpitts(科耳皮兹)601

5-4-3 Clapp-Gouriet(克拉普-考瑞特)602

5-5 射频(RF)振荡器设计602

5-5-1 晶体管振荡器总体构思602

5-5-2 双口微波/射频振荡器设计606

5-5-3 陶瓷谐振器振荡器608

5-5-4 使用微带电感作为振荡器的谐振器611

5-5-5 哈特利微带谐振器振荡器616

5-5-6 晶体振荡器616

5-5-7 压控振荡器621

5-5-8 调谐二极管谐振电路624

5-5-9 实用电路627

5-6-1 振荡器相位噪声计算的线性化方法633

5-6 振荡器中的噪声633

5-6-2 AM到PM转换641

5-6-3 计算振荡器相位噪声的非线性方法648

5-7 实际使用中的振荡器659

5-7-1 振荡器的指标659

5-7-2 更实际的电路660

5-8 使用CAD设计RF振荡器668

5-8-1 谐波平衡仿真668

5-8-2 时域仿真670

5-9 集成射频和毫米波振荡器的相位噪声改善672

5-9-1 概述672

5-9-2 回顾噪声分析673

5-9-3 工作环境674

5-9-4 减小闪烁噪声676

5-9-5 集成振荡器应用678

5-9-6 总结681

第6章 射频频率合成器687

6-1 引言687

6-2 锁相环(PLL)687

6-2-1 PLL基础687

6-2-2 相位频率比较器689

6-2-3 提供电压输出的鉴相器的滤波器699

6-2-4 基于电荷泵的锁相环702

6-2-5 应用CAD进行实际的PLL设计709

6-3-1 分数N分频原理713

6-3 分数N分频锁相频率合成713

6-3-2 杂散抑制技术714

6-4 直接数字合成722

附录A HBT高频建模和完整参数的提取731

A-1 引言731

A-2 高频HBT建模732

A-2-1 直流与小信号模型733

A-2-2 线性化T模型734

A-2-3 线性化混合π模型735

A-3 完全参数提取737

A-3-1 完全参数提取的公式737

A-3-2 模型优化737

A-4 噪声模型的验证738

A-5 HBT模型参数提取741

A-6 结论741

附录B 应用多谐波负载牵引仿真技术进行非线性微波电路设计751

B-1 引言751

B-2 运用谐波平衡法的多谐波负载牵引仿真751

B-2-1 多谐波负载牵引仿真公式751

B-2-2 系统的设计过程752

B-3 多谐波负载牵引仿真的应用754

B-3-1 窄带功率放大器设计754

B-3-2 倍频器设计760

B-4 总结762

B-5 基于负载牵引设计的实用性的注意事项764

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