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集成电路ESD防护设计理论、方法与实践
  • 韩雁，董树荣，LIOUJ.J.，WONGHEI著 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：9787030413888
  • 出版时间：2014
  • 标注页数：215页
  • 文件大小：38MB
  • 文件页数：225页
  • 主题词：集成电路－静电防护－设计

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图书目录

第1章 绪论1

1.1 ESD现象1

1.2 ESD对芯片的威胁2

1.3 ESD防护种类3

1.4 ESD防护研究发展和现状5

参考文献7

第2章 ESD测试标准和方法9

2.1概述9

2.2 ESD主要模型及其测试方法9

2.2.1人体模型9

2.2.2机器模型12

2.2.3充电器件模型13

2.2.4 IEC模型14

2.2.5人体金属模型16

2.3 TLP测试标准和方法17

参考文献20

第3章 ESD防护原理22

3.1 ESD的防护和评估22

3.2器件级ESD防护方法24

3.3电路级ESD防护方法35

3.4系统级和板级ESD防护方法41

参考文献43

第4章 纳米集成电路ESD防护设计和实例分析44

4.1概述44

4.2纳米集成电路ESD可靠性46

4.3纳米集成电路ESD防护目标51

4.4纳米集成电路ESD防护方法和实例54

4.5纳米集成电路ESD防护设计的版图优化64

参考文献67

第5章 射频集成电路ESD防护设计和实例分析70

5.1概述70

5.2射频集成电路ESD防护器件的评估方法74

5.3射频ESD防护器件的评估和优化78

5.3.1二极管的评估和优化78

5.3.2 GGNMOS器件评估81

5.3.3 SCR器件的评估和优化82

5.3.4 ESD器件综合性能对比85

5.4射频电路-ESD协同设计88

5.5射频集成电路ESD防护案例92

参考文献95

第6章 高压功率集成电路ESD防护设计和实例分析99

6.1概述99

6.1.1高压ESD的防护目标100

6.1.2高压ESD防护方案101

6.2高压BCD工艺ESD自防护设计102

6.2.1高压nLDMOS的自防护设计103

6.2.2高压nLDMOS的ESD防护特性104

6.2.3体扩展技术和版图布置106

6.2.4体扩展技术的ESD特性107

6.3高压BCD工艺ESD外防护设计109

6.3.1 nLDMOS防护设计109

6.3.2 LDMOS-SCR防护器件112

6.3.3 nLDMOS-SCR的ESD防护特性113

6.3.4高维持电压技术118

参考文献122

第7章 CDM及HMM的防护方法和实例分析125

7.1 CDM的防护方法125

7.1.1用于评估CDM的VFTLP方法126

7.1.2用于评估CDM的VFTLP_VT方法127

7.2 CDM的ESD防护实例分析128

7.3 HMM的ESD防护方法135

7.4 HMM的ESD防护实例分析135

参考文献140

第8章 ESD防护器件设计的TCAD工具及其仿真流程142

8.1工艺和器件TCAD仿真软件的发展历程142

8.2工艺和器件仿真的基本流程143

8.3 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例146

8.3.1半导体工艺仿真流程146

8.3.2从工艺仿真向器件仿真的过渡流程149

8.3.3半导体器件仿真流程151

8.4 ESD防护器件设计要求及其TCAD辅助设计方法155

8.5利用瞬态仿真对ESD防护器件综合性能的评估157

8.5.1 TCAD评估基本设置158

8.5.2敏捷性评估158

8.5.3鲁棒性评估159

8.5.4有效性评估161

8.5.5透明性评估162

8.5.6 ESD总体评估163

参考文献164

第9章 ESD防护器件仿真中的关键问题166

9.1 ESD仿真中的物理模型选择166

9.2热边界条件的设定170

9.3 ESD器件仿真中收敛性问题解决方案172

9.4模型参数对关键性能参数仿真结果的影响177

9.5二次击穿电流的仿真181

9.5.1现有方法的局限性181

9.5.2单脉冲TLP波形瞬态仿真方法介绍182

9.5.3多脉冲TLP波形仿真介绍183

参考文献187

第10章 纳米线器件的ESD应力特性188

10.1简介188

10.2多晶硅纳米线薄膜晶体管的ESD性能188

10.2.1器件结构和DC特性188

10.2.2 ESD性能一览190

10.2.3纳米线尺寸效应191

10.2.4等离子体处理的影响193

10.2.5版图优化193

10.3全环栅硅纳米线场效应晶体管的ESD性能194

10.3.1器件结构和直流性能194

10.3.2 ESD的性能评估195

10.3.3栅长的影响196

10.3.4通道数目的影响198

10.3.5失效分析199

10.4 CMOS、FinFET和纳米线的ESD性能比较202

10.4.1环栅硅纳米线管和多晶硅纳米线薄膜管的比较202

10.4.2环栅硅纳米线管、FinFET和二维MOS管的比较203

10.5总结205

参考文献206

第11章 总结和展望209

英文缩写对照表213

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