图书介绍
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- 马特瑞（Matare，H.F.）著；高凤开，龚秀英等译 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：13031·3435
- 出版时间：1987
- 标注页数：712页
- 文件大小：28MB
- 文件页数：723页
- 主题词：
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图书目录
第一章 引言1
第二章 荷电载流子的输运原理6
2.1 波在周期性和近于周期性结构中的传播6
2.2 布里渊区，布洛赫波函数14
2.3 周期场中的电子(能带论)28
2.4 施主和受主34
2.5 复合39
2.6 光子、声子和电子44
2.7 缺陷电子49
2.8 有效质量54
2.9 带间跃迁61
2.10 散射66
第三章 晶体缺陷的分类80
第四章 线性延伸和平面延伸的不完整性——位错95
4.1 刃型位错97
4.2 系属和小角度晶界104
4.3 螺型位错107
4.4 孪生110
4.5 位错平面116
第五章 位错的连续性理论121
第六章 辐照损伤与位错127
第七章 位错平面的主要力学性质147
7.1 应力场和应变能147
7.2 晶粒间界能及稳定性155
第八章 半导体中位错的基本电学性质165
8.1 孪晶界的电学特性168
8.2 螺型位错176
8.3 刃型位错179
8.4 小角度系属和晶粒间界185
8.5 关于主晶格的差别191
第九章 荷电载流子输运的各向异性196
9.1 刃型位错管道196
9.2 由位错引起的散射作用(统计分布)207
9.3 刃型位错及其产生的空间电荷221
9.4 位错中心的电子占有率240
9.5 位错和非辐射复合253
9.6 位错和辐射复合267
9.7 电噪声和位错276
第十章 位错间界的电学性质285
10.1 系属间界285
第十一章 小角度和中角度晶粒间界295
11.1 薄片电导295
11.2 晶粒间界势垒317
11.3 霍尔效应数据345
11.4 磁阻效应352
11.5 输运的各向异性366
11.6 场效应380
11.7 光电效应390
第十二章 位错的控制生长407
12.1 范性形变407
12.2 双籽晶技术409
12.3 双晶的生长和完整性423
12.4 晶粒间界扩散和杂质分布434
第十三章 器件应用448
13.1 光电方面(测微术)的应用448
13.2 光电频率转换器455
13.3 位错场效应晶体管468
13.4 应力-应变传感器477
第十四章 位错与半导体器件的电学性质485
14.1 结型器件中位错概述486
14.2 位错与半导体激光器的退化504
14.3 体器件中的位错508
14.4 在同质和异质外延中产生的位错515
第十五章 无定形半导体中的位错和沟道导电561
第十六章 结论593
附录 半导体晶体和薄膜的电学性质的测量596
符号675
参考文献686