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第一章 粒子与波动1

1—1.物理电子学1

1—2.电荷来源3

1—3.光的波动性质5

1—4.光的粒子特性7

1—5.Compton效应9

1—6.Einstein之相对方程式12

1—7.粒子之波动特性15

1—8.波动力学，Heisenberg之不准确原理19

2—1.Planck之量子假说24

第二章 原子结构24

2—2.光谱数据，Bohr之假定27

2—3.氢光谱29

2—4.Sommerfeld之椭圆轨道原子模型33

2—5.咸金属之光谱39

2—6.X线之吸收光谱与发射光谱43

2—7.一般光谱47

2—8.Zeeman效应与Pauli之不相容原理50

第三章 晶体结构56

3—1.晶系之分类56

3—2.晶体之密结构59

3—3.结晶内力与固体之分类62

3—4.晶体内原子能阶之分劈65

3—5.晶体之区域结构69

第四章 几种重要晶型与固体之电子结构79

4—1.金属晶体79

4—2.游子晶体86

4—3.价晶体97

4—4.同体之电子结构与导电性质之关系102

4—5.金属之？由电子理论106

第五章 统计力学111

5—1.统计力学与分布函数111

5—2.古典与半古典统计学115

5—3.量子统计学124

5—4.自由电子之平均能量及比热130

5—5.Sommerfeld模型之表面现象134

5—6.脱出电子之分布函数139

5—7.分布函数之衰颓性143

第六章 自由电子运动之导电及碰撞性质148

6—1.电子移动率148

6—2.Boltzmann之况状方程式；Lorentz之解法151

6—3.金属之导电系数157

6—4.格子振动162

6—5.自由电子之热散射165

6—6.低温时之导电系数169

6—7.热振动与热膨胀172

6—8.金属之导热系数175

6—9.接触面上之热平衡180

第七章 半导体185

7—1.本质半导体185

7—2.外质半导体187

7—3.两种典型外质半导体190

7—4.半导体之自由电子理论195

7—5.各种半导体内Fermi平面之位置199

7—6.平衡浓度及少数载体之寿命204

7—7.少数载体之扩散208

7—8.电子与电洞之有效质量212

7—9.Hall效应215

第八章 热游子发射与场发射223

8—1.热游子发射223

8—2.Schottky效应，场发射228

8—3.金属阴极与原子膜阴极234

8—4.涂氧化物阴极237

8—5.热游子二极真空管之空间电荷242

8—6.热游子二极真空管之特性247

8—7.热游子三极真空管之特性253

8—8.噪音问题259

第九章 光电发射与二次发射265

9—1.光电发射265

9—2.容积光电效应269

9—3.高产量光电阴极274

9—2.二次电子发射277

9—5.二次电子之脱出机构与产生机构282

9—6.Whiddington定律287

9—7.高产量二次发射靶子291

9—8.二次发射对于真空管之影响294

9—9.光电倍增器299

第十章 障壁层整流305

10—1.金属半导体接触305

10—2.金属半导体整流器311

10—3.金属半导体接触整流之特性317

10—4.若干功率金属半导体整流器322

10—5.点触整流器326

10—6.金属半导体整之流器应用329

第十一章 p-n接合二极体334

11—1.p-n接合二极体334

11—2.p-n接合之整流特性340

11—3.接合二极体之等值电路344

11—4.过渡区域内之破裂现象350

11—5.p-n接合材料之调制353

11—6.若干不同p-n接合二极体361

第十二章 电晶体368

12—1.接合三极体368

12—2.电晶体之直流特性372

12—3.电晶体之交流特性375

12—4.底电阻与收集极电容383

12—5.底宽度调幅，贯穿效应386

12—6.底区域内其他若干因素之影响391

12—7.收集极点触之电流放大397

12—8.崩裂性放大与p-n钩形放大401

12—9.功率放大，较高温度下电晶体之运用407

第十三章 电晶体电路412

13—1.电晶体等值电路之几种模型412

13—2.底接地联接418

13—3.发射极接地联接423

13—4.收集极接地联接426

13—5.电晶体振荡器429

13—6.特殊电晶体电路436

13—7.比量电晶体电路437

第十四章 半导体内之光效应442

14—1.p-n接合与金属半导体接触内之光效应442

14—2.实用光电电池445

14—3.弱光信号检波器449

14—4.日光蓄电池与原子蓄电池453

14—5.光导电458

14—6.光导电动力学464

14—7.实用光电导体469

第十五章 固体之发光475

15—1.发光及发光固体475

15—2.特性发光479

15—3.非特性发光484

15—4.发光之效率487

15—5.光发光与阴极发光489

15—6.电发光494

15—7.光放大器498

第十六章 导体与半导体内之热效应507

16—1.固体之热性质507

16—2.白炽光源之发射510

16—3.热电阻体513

16—4.热体辐射及其温度之测量519

16—5.Thomson效应，Peltier效应及Seebeck效应527

16—6.热电电路之计算532

16—7.热电偶及其应用536

第十七章 绝缘体之电性539

17—1.固体内之格子缺陷539

17—2.固体内格子缺陷之扩散545

17—3.绝缘体之游子导电系数550

17—4.真空容电器之充电556

17—5.介质之极化560

17—6.局部电场之计算565

17—7.介质损失569

17—8.固体介质之电破裂574

17—9.电变阻体578

第十八章 电性材料及其应用581

18—1.强电性581

18—2.强电性材料之分类583

18—3.强电性之理论589

18—4.极化之变迁及晶区理论593

18—5.强电性物质之滞后现象598

18—6.强电性记忆装置601

18—7.介质放大器604

18—8.双极摆动与介质吸收608

18—9.对于介质设计之标准615

18—10.介质加热617

第十九章 磁性理论626

19—1.磁性物质之极化626

19—2.反磁性与顺磁性628

19—3.强磁性634

19—4.反强磁性与铁磁性643

19—5.强磁性晶区理论653

19—6.强磁性物质之滞后现象657

19—7.磁变阻体661

20—1.永久磁石668

第二十章 磁性材料及其应用668

20—2.高周率感体673

20—3.强磁性记忆装置676

20—4.磁放大器681

20—5.自转谐振685

20—6.强磁性谐振691

20—7.回转器694

20—8.激射微波放大器699

第二十一章 金属之超导电性704

21—1.超导电性704

21—2.超导电之理论710

21—3.高周率时之超导电性717

21—4.球超导电性与粒子大小之影响719

21—5.中间况状与晶区结构722

21—6.超导电性之应用725

第二十二章 固体内之机械力效应729

22—1.晶体内应力与应变之关系729

22—2.固体应变时之能量关系734

22—3.压电效应741

22—4.片状压电物质之特性749

22—5.压电物质及其应用756

22—6.电伸缩效应760

22—7.BaTiO3内之电伸缩效应767

22—8.磁伸缩效应773