图书介绍

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半导体中的氢
  • 崔树范著 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：9787030564924
  • 出版时间：2018
  • 标注页数：132页
  • 文件大小：13MB
  • 文件页数：146页
  • 主题词：氢－半导体材料－研究

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图书目录

第一篇 半导体中氢的鉴别及氢致缺陷3

第1章 氢气区溶硅单晶中硅氢键的红外吸收光谱3

1.1 FZ c-Si：H样品红外吸收谱的首次实验测定3

1.2 FZ c-Si：H红外吸收谱全谱段的测量6

1.3氢气区溶硅单晶红外吸收谱的鉴别8

1.4 2210cm-1和1949（1946）cm-1峰的微观模型15

第2章 氢气区溶硅单晶中的氢致缺陷17

2.1氢致“雪花”缺陷17

2.2硅单晶中氢致缺陷的形成机制19

2.3硅中氢的电子结构的分子轨道方法处理22

2.3.1硅晶格中Si—H键单元的轨道22

2.3.2 Si—H振动与红外辐射之间的耦合24

2.3.3硅中氢的某些电子性质及与实验比较24

第3章 硅单晶中氢沉淀物的X射线衍射动力学理论和实验研究27

3.1硅中氢沉淀物的X射线截面形貌28

3.1.1中等温度热处理的氢气区溶硅单晶的X射线截面形貌28

3.1.2球状应变中心X射线形貌衬度的特征29

3.2硅中球状应变中心的衍射动力学理论模拟31

3.2.1球状应变中心的应变场的模型31

3.2.2拍摄氢沉淀物截面形貌图像的衍射几何32

3.3衍射图的形态与缺陷的关系32

3.3.1图像随晶体厚度的变化32

3.3.2图像随缺陷应变场大小的变化33

3.3.3图像随形变符号的变化34

3.3.4图像随缺陷在常数深度下横贯鲍曼扇不同位置的变化35

3.3.5 图像随缺陷深度的变化36

3.4与实验的比较37

3.5关于晶体中球状应变中心形貌理论模拟的经验与结论38

第4章 硅单晶中早期氢致缺陷的X射线统计动力学衍射理论和实验研究41

4.1低温热处理的氢气区溶硅单晶的高能同步辐射截面形貌41

4.2 X射线统计动力学衍射理论和模型43

4.3单晶硅的高能同步辐射截面形貌图及其强度分布的模拟47

4.4同步辐射形貌结合静态德拜-沃勒因子分析导出的结论55

第5章 半导体中的分子氢及相关缺陷56

5.1晶体硅中氢分子振动的Raman谱观察56

5.2晶体硅中氢分子的形成57

5.3经历氢化后硅的Raman谱的一般特征58

5.4硅单晶中被捕捉在空洞中的氢分子59

5.5硅单晶中四面体间隙位的氢分子60

第一篇参考文献62

第二篇 半导体中氢的基本性质67

第6章 结晶半导体中的孤立间隙氢67

6.1半导体中杂质的理论技术67

6.2点阵中氢和μ子素的位置69

6.3电子结构70

第7章 半导体中的含氢复合物73

7.1氢与硅悬键的相互作用73

7.2硅中氢-深级缺陷复合物73

7.3硅中氢-浅级缺陷复合物74

第8章Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ -Ⅵ族半导体中氢的性质76

8.1 GaAs中的C-H复合物76

8.2 GaN中的Mg-H复合物77

第9章 半导体中氢的电子性质和能级79

9.1氢的形成能与电子跃迁能级79

9.2氢能级排队82

9.3氢的光电化学性质84

9.4普适能级85

9.4.1“通常”半导体和显著阳离子-阴离子失配半导体85

9.4.2氢的行为由其能级与母体能带结构的关系所决定86

9.5晶体硅中氢分子的能带结构和能级86

第10章 半导体中氢的化学键及其对材料性质的影响88

10.1氢多中心键89

10.2 ZnO和TiO2中的氢相关缺陷90

10.3 InN中非故意导电性的起源92

10.4 SnO2中电导率的起源93

10.5分子间氢键有机半导体94

第二篇参考文献97

第三篇 半导体中氢的重要效应及相关应用101

第11章 氢与半导体中其他杂质和缺陷的相互关系101

11.1氢与点缺陷的相互作用101

11.2硅中氢与位错的相互作用102

11.3单晶硅中因氢化产生的缺陷103

11.4氢离子注入硅中平面缺陷的成核和生长104

第12章 半导体中电活性杂质和缺陷的中性化106

12.1硅中深能级缺陷的中性化107

12.2硅中浅级杂质的中性化108

12.3 Ⅲ-Ⅴ半导体中缺陷和掺杂的中性化109

12.4氢中性化与材料的缺陷类型和微结构的相关性110

第13章 氢致半导体性质改变及其应用112

13.1采用调制氢化效应的面内带隙工程112

13.2氢致半导体表面金属化112

13.3氢致磁性半导体的磁性改变117

13.3.1磁性半导体Mn1 -xGaxAs117

13.3.2磁性半导体MnxSi1-x119

第14章 半导体表面的氢120

14.1氢与表面结构120

14.2半导体碳化硅亚表面氢致纳米隧道开辟121

14.2.1 ab initio模拟建立的原子结构和电子性质122

14.2.2关于纳米隧道的性质及其应用的讨论124

第15章 氢致半导体和复合氧化物层改性127

15.1 H／He注入致层改性过程的基本性质127

15.2化合物半导体和氧化物材料的层劈裂129

第三篇参考文献130

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