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1.1 晶体的基本概念1

1.2 空间点阵1

第一章 晶体结构1

1.3 米勒指数3

1.4 密堆积与配位数5

一、密堆积5

二、配位数7

三、液相生长系统中的相变驱动力 （18

1.5 元素的晶体结构8

四、熔体生长系统中的相变驱动力 （18

1.6 固溶体和居间相9

1.7 晶格缺陷13

一、相变驱动力的定义16

2.1 相变驱动力16

第二章 成核理论16

二、汽相生长系统中的相变驱动力17

2.2 弯曲界面的平衡与相变位垒19

一、弯曲界面的力学平衡——界面压力19

二、弯曲界面的相平衡21

2.3 均匀成核25

一、晶核的形成能与临界尺寸25

三、界面能位垒25

二、复相起伏和晶核的成核率28

2.4 非均匀成核30

一、相界交接处的接触角31

二、催化作用——降低成核的表面能位垒32

三、催化剂颗粒度对成核率的影响33

四、提高催化剂效率的途径——降低γcs34

五、晶体生长系统中成核率的控制35

第三章 界面的平衡结构36

3.1 晶体的平衡形状36

一、表面能极图与晶体的平衡形状36

一、划分界面类型的标准38

二、奇异面、非奇异面和邻位面38

3.2 生长界面结构的基本类型38

二、光滑界面与粗糙界面39

3.3 邻位面与台阶的平衡结构40

一、邻位面的台阶化40

二、邻位面台阶化的论证40

三、台阶的平衡结构42

四、台阶取向对台阶上扭折密度的贡献43

3.4 界面相变熵与界面的平衡结构44

一、光滑界面和粗糙界面的理论计算——杰克逊界面理论44

7.6 膜厚的测量与监控 （145

一、称重法 （ 145

三、界面熔化熵49

二、界面相变熵与生长系统49

四、界面相变熵与环境相50

五、温度对界面粗糙度的影响52

3.5 扩散界面模型——特姆金（Temkin）模型53

第八章 陶瓷材料的制备53

8.1 引言 （153

一、模型的基本假设54

二、相变过程中自由能的变化计算54

三、结果讨论56

一、界面上分子的位能58

4.1 邻位面的生长——台阶动力学与运动学58

第四章 晶体生长动力学58

二、吸附分子的面扩散59

三、台阶动力学61

四、台阶运动学63

五、邻位面生长动力学65

4.2 光滑界面的生长66

一、二维成核生长机制66

二、位错生长机制69

4.3 粗糙界面的生长73

4.4 晶体生长形态学74

一、确定晶体生长过程中形态的方法75

二、影响晶体形态的因素77

三、小面生长77

第五章 相平衡状态图79

5.1 相平衡与相图79

一、相图79

二、相平衡79

三、系统中的相平衡条件80

四、相律82

5.2 二元系相图82

一、互溶体系82

三、包晶体系84

二、共晶体系84

四、形成同成分熔化的化合物体系85

五、液态分层体系86

5.3 三元系相图86

二、三元同形系统的立体相图87

一、成份三角形87

三、等温截面88

四、垂直截面图89

二、配料成份的选择90

一、晶体生长方法的选择90

5.4 相图与晶体生长90

四、相图形态与组分过冷92

三、热处理工艺的确定92

6.1 汽相生长93

一、汽相生长原理93

二、汽相生长中的输运过程93

第六章 单晶材料的制备93

三、汽相生长晶体的质量95

6.2 从溶液中生长晶体96

一、溶解度、溶解度曲线和晶相96

二、从溶液中生长晶体的方法99

一、水热溶液生长法101

二、水晶的水热生长101

6.3 水热法101

三、水热法的生长装置102

四、水热法的优点缺点103

6.4 熔盐法104

一、生长机理104

三、设备及操作方法105

二、助熔剂的选择105

四、熔盐法生长的优缺点106

6.5 从熔体中生长晶体106

一、生长方法和特点106

二、提拉法生长晶体的有关工艺111

三、提拉法生长晶体的主要设备112

第七章 薄膜材料的制备113

一、成核阶段113

7.1 薄膜的形成机理113

二、成核的毛细作用理论114

三、影响成核过程的因素116

四、岛的生长与接合117

7.2 物理气相沉积（PVD）118

一、真空蒸发镀膜118

二、溅射镀膜126

三、离子镀129

7.3 化学气相沉积（LCVD）132

一、普通CVD法132

二、等离子体化学气相沉积（PECVD）法135

三、光CVD法136

7.4 化学溶液镀膜法138

一、化学反应沉积镀膜法138

二、阳极氧化法140

三、电镀141

7.5 液相外延制膜法143

一、液相外延的原理143

二、液相外延生长系统143

二、电学方法146

三、光学方法148

四、专用厚度监控法152

8.2 陶瓷的组成相及其结构153

一、陶瓷的晶体结构154

二、玻璃相结构159

三、气相162

一、配料163

8.3 陶瓷的制备工艺163

三、烧成164

二、生坯的制备164

8.4 装置瓷166

一、离铝瓷166

二、镁质瓷168

8.5 电容器陶瓷169

一、非铁电电容器陶瓷170

二、铁电电容器陶瓷175

三、反铁电电容器陶瓷175

一、压电陶瓷材料176

8.6 压电陶瓷176

二、压电陶瓷材料的生产工艺177

8.7 铁氧体179

一、铁氧体的组成特性和用途179

二、铁氧体的制备工艺180

三、单晶与薄膜铁氧体180

8.8 高温陶瓷材料181

一、氧化物陶瓷182

二、透明氧化物陶瓷182

三、非氧化物高温陶瓷184

9.1 复合材料的分类187

第九章 复合材料187

9.2 颗粒增强复合材料188

一、弥散强化复合材料188

二、纯颗粒复合材料189

9.3 夹层复合材料189

一、夹层板189

二、夹芯结构189

9.4 纤维增强复合材料191

一、纤维191

二、纤维增强191

三、复合材料性能估算192

四、短纤维复合材料193

9.5 树脂基复合材料194

一、特点194

二、纤维195

三、基体196

四、成型工艺198

五、树脂基复合材料200

六、混杂纤维复合材料200

9.6 金属基复合材料201

一、金属基复合材料的特点201

二、纤维和基体201

9.7 陶瓷基复合材料203