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半导体器件表面钝化 译文集
  • 上海无线电二十九厂编辑 著
  • 出版社: 上海无线电二十九厂
  • ISBN:
  • 出版时间:1978
  • 标注页数:282页
  • 文件大小:3MB
  • 文件页数:286页
  • 主题词:

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图书目录

目录1

硅半导体器件的表面钝化1

半导体的表面钝化16

硅器件的钝化涂层42

介质膜在器件制造中的作用63

多晶、氮化和氧化硅的低压化学汽相沉积生产工艺74

用热氧化钝化高压pnp结构101

改进高压晶体管性能的玻璃钝化113

用形成磷硅玻璃的方法从二氧化硅薄膜中完全除去钠124

应用于MOS集成电路的半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜128

半绝缘多晶硅(SIPOS)钝化工艺146

用SIPOS工艺制作高可靠高压晶体管158

高质量的射频溅射二氧化硅层172

低温等离子体增强氮化硅沉积的生产反应器186

Si3N4的厚度与双极型晶体管特性的关系201

硅衬底上Al2O3层的制备及电学性质223

硅上多晶氧化铝的阳极氧化229

三氯乙烯氧化对MOS器件特性的一些影响251

用中子活化和紫外光谱分析确定溅射SiO2中钠的分布263

用活化氮制备Si3N4270

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