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图书目录
目录1
1 导言1
1.1 铁电体的基本性质：体材料2
1.1.1 朗道-德冯谢亚理论7
1.1.2 软模理论11
1.1.3 临界指数12
1.1.4 三临界点13
1.1.5 无公度铁电体和ANNNI模型16
1.2 铁电薄膜：退极化场和有限尺寸效应18
1.2.1 小颗粒22
2 RAM的基本性质23
2.1 系统设计25
2.2 实际器件41
2.3 测试44
2.3.1 脉冲测试45
2.3.2 i（t）瞬态电流47
2.3.3 漏电流测试48
2.3.4 保持测试48
2.3.5 印记测试49
2.3.6 电容-电压关系C（V）测试49
3 DRAM和NV-RAM的电击穿51
3.1 热击穿机制56
3.2 Von Hippel方程59
3.3 枝晶状击穿66
3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称73
4 漏电流74
4.1 Schottky发射74
4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正78
4.3 电荷注入80
4.4 空间电荷限制电流SCLC80
4.5 负电阻率85
5 电容-电压关系C（V）89
5.1.1 Richardson系数A＊＊92
5.1 支持薄耗尽层的方面92
5.1.2 Schottky势垒高度对电子亲和势的依赖97
5.1.3 出现在Schottky方程中的介电常数ε98
5.1.4 Schottky修正的SCLC理论100
5.1.5 空间电荷限制电流101
5.2 支持完全耗尽薄膜的论据101
5.3 Zuleeg-Dey模型102
5.4 混合模型105
5.5 基于XPS的能带结构匹配关系106
5.6 离子空间电荷限制电流109
6 开关动力学114
7 电荷注入和疲劳126
7.1 Dawber模型127
7.2 钙钛矿铁电体中氧空位有序的疲劳机制133
8 频率依赖137
8.1 Ishibashi-Orihara理论138
8.2 界面效应139
9 制备过程中的相序140
9.1 Sr缺损的优化薄膜141
9.2 Bi元素的作用142
10 SBT族Aurivillius相层状结构143
10.1 RBS研究144
10.2 重离子束研究145
10.3 表面科学技术（XPS,UPS）148
11 淀积和工艺154
11.1 溶胶-凝胶旋涂淀积155
11.2 溅射156
11.3 金属-有机化学汽相淀积MOCVD157
11.4 脉冲激光淀积PLD160
11.5 金属-有机分解MOD162
11.6 分子束外延MBE163
12 非破坏性读出器件164
12.1 铁电场效应管（FET）164
13 基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和10GHz～100GHz器件168
14 薄膜黏结174
15 电子发射和平面显示器177
16 光学器件179
17 纳米相器件181
17.1 刻蚀181
17.2 表面液滴外延184
17.3 利用Bi表面液滴优化SBT的化学配比185
17.4 边缘场190
17.5 钛酸铋192
18 缺点和不足195
18.1 高制备温度195
18.2 毒性195
18.5 疲劳196
18.6 印记196
18.4 半选择干扰脉冲196
18.3 表面和界面现象196
18.7 尺度197
18.8 短期瞬态电流197
18.9 击穿197
18.10 漏电流198
18.11 抗辐照强度198
18.12 前景199
习题202
参考文献208
索引235