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![可关断可控硅](https://www.shukui.net/cover/47/32355671.jpg)
- 北京市可关断可控硅会战组编 著
- 出版社: 北京市可关断可控硅会战组
- ISBN:
- 出版时间:1972
- 标注页数:92页
- 文件大小:858MB
- 文件页数:97页
- 主题词:
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可关断可控硅PDF格式电子书版下载
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图书目录
目录1
概述1
一、可关断可控硅工作原理和结构特点3
1-1.可关断可控硅工作原理3
1-2.结构特点5
1-2-1.厚的n基区和较薄的ρ基区5
1-2-2.较小的阴极宽度5
二、可关断可控硅主要参数,基本结构和8
工艺路线的选择8
2-1.关断增益对α1和α2提出的要求8
2-2.耐压对材料和结构提出的要求10
2-3.基本结构16
三、可关断可控硅工艺原理和工艺过程20
3-1.工艺流程20
3-2.硅片研磨和抛光21
3-3.扩镓22
3-3-1.杂质源的选取和制造22
3-3-2.扩散温度和时间的选择23
3-3-3.工艺过程25
3-4.氧化26
3-4-1.氧化层(SiO2)的厚度和氧化条件的选择26
3-4-2.氧化工艺过程27
3-5.一次光刻28
3-5-1.光刻胶的配制28
3-5-2.光刻29
3-6.扩磷30
3-6-1.扩散方法和杂质源30
3-6-2.工艺过程33
3-7-2.工艺过程34
3-7.重金属杂质的吸收34
3-7-1.吸收目的34
3-8.扩金35
3-8-1.扩金的原理和目的35
3-8-2.工艺过程35
3-9.烧阳极欧姆结36
3-10.蒸铝37
3-11.二次光刻(反刻铝)37
3-12.控制极——阴极结的腐蚀和合金化38
3-13.磨角、腐蚀和表面保护38
3-14.焊接和密封39
四、可关断可控硅的测试40
4-1.中间测试40
4-2-1.线路原理45
4-2.动态特性45
4-2-2.试验结果55
4-2-2-1.频率(f)与关断增益(Boff)的关系55
4-2-2-2.控制极脉冲与动态参数的关系57
4-2-2-3.占空系数η与关断电流,59
关断增益的关系59
4-2-2-4.关断增益与阳极电流的关系59
4-2-2-5.关断电流IA与电源电压的关系61
4-2-2-6.温度与关断电流IA的关系62
4-2-2-7.正向电压上升率62
五、(附录一)可关断可控硅的功率损耗65
六、(附录二)可关断可控硅技术标准(暂定)70
七、(附录三)5A可关断可控硅零部件规格图册77
八、(附录四)10A可关断可控硅零部件规格图册84