图书介绍

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可关断可控硅
  • 北京市可关断可控硅会战组编 著
  • 出版社: 北京市可关断可控硅会战组
  • ISBN:
  • 出版时间:1972
  • 标注页数:92页
  • 文件大小:858MB
  • 文件页数:97页
  • 主题词:

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图书目录

目录1

概述1

一、可关断可控硅工作原理和结构特点3

1-1.可关断可控硅工作原理3

1-2.结构特点5

1-2-1.厚的n基区和较薄的ρ基区5

1-2-2.较小的阴极宽度5

二、可关断可控硅主要参数,基本结构和8

工艺路线的选择8

2-1.关断增益对α1和α2提出的要求8

2-2.耐压对材料和结构提出的要求10

2-3.基本结构16

三、可关断可控硅工艺原理和工艺过程20

3-1.工艺流程20

3-2.硅片研磨和抛光21

3-3.扩镓22

3-3-1.杂质源的选取和制造22

3-3-2.扩散温度和时间的选择23

3-3-3.工艺过程25

3-4.氧化26

3-4-1.氧化层(SiO2)的厚度和氧化条件的选择26

3-4-2.氧化工艺过程27

3-5.一次光刻28

3-5-1.光刻胶的配制28

3-5-2.光刻29

3-6.扩磷30

3-6-1.扩散方法和杂质源30

3-6-2.工艺过程33

3-7-2.工艺过程34

3-7.重金属杂质的吸收34

3-7-1.吸收目的34

3-8.扩金35

3-8-1.扩金的原理和目的35

3-8-2.工艺过程35

3-9.烧阳极欧姆结36

3-10.蒸铝37

3-11.二次光刻(反刻铝)37

3-12.控制极——阴极结的腐蚀和合金化38

3-13.磨角、腐蚀和表面保护38

3-14.焊接和密封39

四、可关断可控硅的测试40

4-1.中间测试40

4-2-1.线路原理45

4-2.动态特性45

4-2-2.试验结果55

4-2-2-1.频率(f)与关断增益(Boff)的关系55

4-2-2-2.控制极脉冲与动态参数的关系57

4-2-2-3.占空系数η与关断电流,59

关断增益的关系59

4-2-2-4.关断增益与阳极电流的关系59

4-2-2-5.关断电流IA与电源电压的关系61

4-2-2-6.温度与关断电流IA的关系62

4-2-2-7.正向电压上升率62

五、(附录一)可关断可控硅的功率损耗65

六、(附录二)可关断可控硅技术标准(暂定)70

七、(附录三)5A可关断可控硅零部件规格图册77

八、(附录四)10A可关断可控硅零部件规格图册84

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