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第一章 半导体器件的可靠性1

1.1 半导体器件可靠性的特征1

1.2 半导体器件的失效模式和失效机理2

1.2.1 失效物理2

1.2.2 失效模式和失效机理2

1.3 失效分析5

1.4 失效分布7

1.4.1 可靠度函数7

1.4.2 可靠性的概率分布7

1.5 失效率预计11

第二章 半导体器件可靠性试验方法20

2.1 失效判据20

2.1.1 失效判据的考虑20

2.1.2 失效判据举例20

2.1.2.1 晶体管的失效判据20

2.1.2.2 数字集成电路的失效判据21

2.1.2.3 线性集成电路的失效判据22

2.2 可靠性试验方法22

2.2.1 可靠性试验22

2.2.2 可靠性试验方法23

2.2.3 筛选31

2.3 加速寿命试验方法33

2.3.1 加速寿命试验的基本想法33

2.3.2 加速寿命试验示例34

2.4 可靠性的抽样检验41

2.4.1 抽样检验方法41

2.4.2 失效率置信度的求法42

第三章 半导体器件的质量保证43

3.1 对质量和可靠性的考虑43

3.2 半导体器件的可靠性设计43

3.2.1 可靠性指标43

3.2.2 可靠性设计的方法43

3.2.3 设计评价45

3.3 半导体器件的质量保证系统46

3.3.1 质量保证活动46

3.3.2 质量鉴定46

3.3.3 批量生产的质量和可靠性管理46

3.3.3.1 材料、零件的质量管理48

3.3.3.2 生产线上的质量管理48

3.3.3.3 成品检验及可靠性保证50

3.3.4 出厂后的失效处理50

3.3.5 可靠性数据的收集51

第四章 半导体器件的可靠性53

4.1 半导体器件的可靠性设计及生产工艺的特点53

4.1.1 表面钝化技术53

4.1.2 蒸电极及装架技术54

4.1.3 封装技术55

4.1.4 其他技术55

4.2 硅二极管的可靠性56

4.2.1 结构56

4.2.2 可靠性数据56

4.2.3 使用硅二极管应注意的事项61

4.3 硅小信号晶体管的可靠性61

4.3.1 结构61

4.3.2 可靠性数据64

4.3.3 使用硅小信号晶体管应注意事项64

4.4 硅大功率晶体管的可靠性66

4.4.1 结构66

4.4.2 可靠性数据介绍70

4.4.3 使用硅大功率晶体管应注意的事项72

4.5 线性集成电路的可靠性74

4.5.1 线性集成电路的结构74

4.5.2 可靠性数据76

4.5.3 使用线性集成电路应注意的事项79

4.6 TTL电路的可靠性84

4.6.1 结构84

4.6.2 可靠性数据86

4.6.3 使用TTL电路应注意事项90

4.7 MOS大规模集成电路的可靠性90

4.7.1 结构90

4.7.2 可靠性数据91

4.7.3 使用MOS大规模集成电路应注意的事项93

4.8 IC存储器的可靠性95

4.8.1 结构95

4.8.2 可靠性数据97

4.8.3 使用IC存储器时应注意的事项102

第五章 使用半导体器件应注意的事项104

5.1 半导体器件的选择104

5.1.1 最大额定值104

5.1.1.1 晶体管及二极管的最大额定值104

5.1.1.2 集成电路的最大额定值104

5.1.1.3 降额措施的考虑107

5.1.2 封装的选择107

5.2 机械操作上应注意的事项111

5.2.1 引线成形和切断111

5.2.2 器件在印制电路板上的安装112

5.2.3 焊接112

5.2.4 清洗114

5.2.5 散热板的安装114

5.2.6 器件的排列118

5.3 电路安装方面应注意的事项121

5.3.1 总的注意事项121

5.3.2 防止噪声和浪涌电压的措施121

5.3.2.1 噪声的种类122

5.3.2.2 噪声源与信号线的耦合122

5.3.2.3 消除噪声的措施123

5.3.2.4 防止浪涌电压的措施124

5.3.3 特性参数与可靠性的关系125

5.4 其他注意事项129

5.4.1 半导体器件的贮存方法129

5.4.2 运输方面应注意的事项129

5.4.3 测量和操作方面应注意的事项131

附录 半导体器件有关的可靠性标准一览表133