图书介绍

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薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模
  • 雷东著 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:9787121293948
  • 出版时间:2016
  • 标注页数:154页
  • 文件大小:15MB
  • 文件页数:163页
  • 主题词:薄膜晶体管-研究

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图书目录

第1章 薄膜晶体管(TFT)用于平板显示1

1.1 TFT用于液晶平板显示1

1.1.1 LCD显示技术原理1

1.1.2 矩阵显示6

1.1.3 AMLCD显示技术对TFT特性的要求9

1.2 TFT用于OLED平板显示11

1.2.1 有机发光二极管(OLED)11

1.2.2 OLED显示13

1.2.3 AMOLED显示对TFT特性的要求15

1.3 TFT的SPICE建模与仿真16

1.3.1 SPICE仿真与建模16

1.3.2 TFT的SPICE建模18

1.3.3 模型的质量验证24

参考文献25

第2章 a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理26

2.1 平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺26

2.1.1 平板显示用a-Si TFT的常见结构26

2.1.2 栅极(Gate)金属27

2.1.3 a-SiNx:H薄膜27

2.1.4 a-Si:H薄膜30

2.1.5 n+ a-Si:H薄膜36

2.1.6 源漏(S/D)极金属37

2.1.7 钝化层37

2.2 a-Si:H TFT器件的电学特性38

2.2.1 栅极(Gate)正向偏置38

2.2.2 a-Si:H TFT的漏电流44

参考文献45

第3章 a-Si:H TFT的SPICE模型47

3.1 DC模型47

3.1.1 a-Si:H TFT开启前47

3.1.2 a-Si:H TFT开启后53

3.1.3 漏电流区63

3.1.4 DC温度模型65

3.2 AC模型66

参考文献68

第4章 低温多晶硅(LTPS)TFT的结构、工艺与器件物理70

4.1 缓冲层以及a-Si层71

4.1.1 薄膜的沉积71

4.1.2 去氢72

4.2 LTPS层74

4.2.1 准分子激光退火(ELA)74

4.2.2 LTPS薄膜的表面77

4.3 LTPS薄膜的电学特性78

4.3.1 晶界简介78

4.3.2 晶界势垒80

4.3.3 载流子的输运82

4.4 传统的固相结晶技术(SPC)84

4.5 金属诱导结晶(MIC)85

4.6 TFT沟道与N-TFT源/漏的形成86

4.7 栅绝缘(GI)层87

4.8 p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成90

4.8.1 轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain, LDD)90

4.8.2 注入离子的活化91

4.9 层间介质层(Interlayer Dielectric Film, ILD)92

4.10 信号线(Data line)92

4.11 LTPS TFT器件的电学性质93

4.11.1 栅极正向偏置93

4.11.2 LTPS TFT的漏电流98

参考文献99

第5章 LTPSTFT的SPICE模型102

5.1 DC模型102

5.1.1 TFT有效开启电压的表达式102

5.1.2 亚阈值区107

5.1.3 输出电流110

5.1.4 迁移率模型112

5.1.5 漏电流模型117

5.1.6 Kink效应122

5.1.7 沟道长度调制效应125

5.1.8 方程的统一126

5.1.9 DC温度模型131

5.2 AC模型132

参考文献135

第6章 IGZO TFT的结构、工艺与器件物理136

6.1 IGZO工艺概述136

6.2 平板显示用IGZO TFT的结构137

6.2.1 栅极(Gate)金属137

6.2.2 栅绝缘层(GI)138

6.2.3 IGZO薄膜材料139

6.2.4 刻蚀阻挡层(ESL)149

6.2.5 S/D金属150

6.3 IGZO TFT的电学特性150

6.3.1 栅极正向偏置150

6.3.2 IGZO TFT的漏电流152

参考文献152

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