图书介绍
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- Alan Hastings著；王志功主译 著
- 出版社： 北京：清华大学出版社
- ISBN：7302149615
- 出版时间：2007
- 标注页数：543页
- 文件大小：88MB
- 文件页数：560页
- 主题词：模拟集成电路－电路设计－高等学校－教材－英文
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图书目录
第1章 器件物理1
1.1 半导体1
1.1.1 产生与复合3
1.1.2 非本征半导体6
1.1.3 扩散与漂移8
1.2 PN结9
1.2.1 耗尽区10
1.2.2 PN二极管12
1.2.3 肖特基二极管14
1.2.4 齐纳二极管16
1.2.5 欧姆接触17
1.3 双极结型晶体管19
1.3.1 β21
1.3.2 I-V特性22
1.4 MOS晶体管23
1.4.1 阈值电压25
1.4.2 I-V特性27
1.5 结型场效应管29
1.6 总结31
1.7 习题32
第2章 半导体制造33
2.1 硅制造33
2.1.1 晶体的生长33
2.1.2 晶圆制造34
2.1.3 硅晶体结构35
2.2 光刻36
2.2.1 光刻胶37
2.2.2 光掩膜和母版37
2.2.3 图案形成39
2.3 氧化物的生长和去除39
2.3.1 氧化物的生长和沉积39
2.3.2 氧化物的去除41
2.3.3 氧化层的增长和去除的其他效应43
2.3.4 局部硅氧化（LOCOS）44
2.4 扩散与离子注入46
2.4.1 扩散47
2.4.2 扩散的其他作用49
2.4.3 离子注入51
2.5 硅沉积53
2.5.1 外延53
2.5.2 多晶硅沉积55
2.6 金属层制作55
2.6.1 铝的沉积与去除56
2.6.2 难熔的防护金属57
2.6.3 硅化物59
2.6.4 层间氧化物、层间氮化物和保护层60
2.7 封装61
2.7.1 贴装与焊接63
2.7.2 封装66
2.8 总结66
2.9 习题66
第3章 代表性工艺68
3.1 标准双极型68
3.1.1 基本特征69
3.1.2 制造工序69
3.1.3 可用器件74
3.1.4 工艺扩展81
3.2 多晶硅栅CMOS84
3.2.1 基本特征85
3.2.2 制造工序86
3.2.3 可用器件92
3.2.4 工艺扩展97
3.3 模拟BiCMOS101
3.3.1 基本特征101
3.3.2 制作顺序103
3.3.3 可利用器件109
3.4 总结113
3.5 习题114
第4章 失效机理116
4.1 电气过载116
4.1.1 静电放电（ESD）116
4.1.2 电迁徙119
4.1.3 天线效应120
4.2 污染121
4.2.1 干腐蚀122
4.2.2 可移动离子污染123
4.3 表面影响126
4.3.1 热载流子注入126
4.3.2 寄生沟道和电荷散布129
4.4 寄生参数137
4.4.1 衬底失偏138
4.4.2 少数载流子注入141
4.5 总结151
4.6 习题152
第5章 电阻154
5.1 电阻率和方块电阻154
5.2 电阻的版图156
5.3 电阻可变性160
5.3.1 工艺变化160
5.3.2 温度变化161
5.3.3 非线性162
5.3.4 接触电阻164
5.4 电阻的寄生效应165
5.5 各种电阻的比较168
5.5.1 基区电阻168
5.5.2 射区电阻169
5.5.3 基区夹扁电阻171
5.5.4 高方块值电阻171
5.5.5 外延区夹扁电阻174
5.5.6 金属电阻175
5.5.7 多晶硅电阻176
5.5.8 NSD和PSD电阻178
5.5.9 N阱电阻179
5.5.10 薄膜电阻180
5.6 调整电阻值181
5.6.1 可调电阻181
5.6.2 微调电阻184
5.7 总结190
5.8 习题191
第6章 电容193
6.1 电容量193
6.2 电容的变化199
6.2.1 工艺变化199
6.2.2 电压调制与温度变化200
6.3 电容的寄生效应202
6.4 可用电容的比较204
6.4.1 基极-发射极结电容204
6.4.2 MOS电容206
6.4.3 多晶硅-多晶硅电容208
6.4.4 电容器的种种变型210
6.5 总结211
6.6 习题212
第7章 电容与电阻的匹配213
7.1 失配测量213
7.2 失配的起因215
7.2.1 随机统计起伏216
7.2.2 工艺偏差217
7.2.3 图形移位219
7.2.4 多晶硅刻蚀速率的改变221
7.2.5 相互扩散作用223
7.2.6 应力梯度和封装偏移225
7.2.7 温度梯度和热电效应235
7.2.8 静电相互作用240
7.3 器件匹配的规则247
7.3.1 电阻匹配规则247
7.3.2 电容匹配规则251
7.4 总结254
7.5 习题255
第8章 双极型晶体管257
8.1 有关双极型晶体管工作的讨论257
8.1.1 β值的下降258
8.1.2 雪崩击穿259
8.1.3 热崩和二次击穿261
8.1.4 NPN型晶体管的饱和263
8.1.5 横向PNP晶体管的饱和266
8.1.6 双极型晶体管的寄生效应268
8.2 标准双极型小信号晶体管270
8.2.1 标准双极型NPN晶体管271
8.2.2 标准双极型衬底PNP晶体管276
8.2.3 标准双极型横向PNP晶体管280
8.2.4 高压双极型晶体管287
8.3 可供选择的小信号双极型晶体管289
8.3.1 标准双极型硅工艺的扩展289
8.3.2 模拟BiCMOS双极型晶体管291
8.3.3 CMOS工艺中的双极型晶体管294
8.3.4 先进工艺的双极型晶体管295
8.4 总结298
8.5 习题299
第9章 双极型晶体管应用301
9.1 功率双极型晶体管302
9.1.1 NPN功率晶体管的失效机理302
9.1.2 功率NPN晶体管的版图设计307
9.1.3 饱和度检测与限制315
9.2 双极型晶体管的匹配318
9.2.1 随机变化319
9.2.2 发射极负反馈321
9.2.3 N型掩埋层阴影区（NBL Shadow）323
9.2.4 热梯度324
9.2.5 应力梯度328
9.3 双极型晶体管的匹配规则330
9.3.1 匹配NPN晶体管的设计规则331
9.3.2 横向PNP晶体管的匹配设计规则333
9.4 总结336
9.5 习题336
第10章 二极管339
10.1 基于标准双极型工艺的二极管339
10.1.1 二极管接法的晶体管339
10.1.2 齐纳二极管341
10.1.3 肖特基二极管347
10.2 基于CMOS工艺和BiCMOS工艺的二极管352
10.3 匹配二极管354
10.3.1 PN二极管匹配354
10.3.2 齐纳管匹配355
10.3.3 肖特基管匹配356
10.4 总结357
10.5 习题357
第11章 MOS晶体管359
11.1 基本概念360
11.1.1 MOS晶体管模型360
11.1.2 MOS管的寄生参数366
11.2 自对准多晶硅栅极CMOS晶体管371
11.2.1 对MOS晶体管编码372
11.2.2 N阱和P阱工艺373
11.2.3 沟道停止376
11.2.4 阈值调整注入377
11.2.5 晶体管的收缩380
11.2.6 变体结构383
11.2.7 背栅接触孔388
11.3 总结391
11.4 习题391
第12章 MOS晶体管应用393
12.1 扩压晶体管393
12.1.1 LDD和DDD晶体管394
12.1.2 漏极延伸晶体管397
12.1.3 多类栅极氧化400
12.2 功率MOS晶体管401
12.2.1 传统的MOS功率晶体管404
12.2.2 DMOS晶体管411
12.3 JFET晶体管416
12.3.1 JEFT模型416
12.3.2 JFET版图417
12.4 MOS晶体管匹配421
12.4.1 几何因素422
12.4.2 扩散和蚀刻的影响424
12.4.3 热和应力效应427
12.4.4 MOS晶体管的共质心版图429
12.5 MOS管匹配规则433
12.6 总结436
12.7 习题436
第13章 专题讨论439
13.1 合并的器件439
13.1.1 含缺陷的器件合并440
13.1.2 成功的器件合并444
13.1.3 低风险合并的器件446
13.1.4 含中等程度风险的器件合并447
13.1.5 设计新的合并器件448
13.2 保护环449
13.2.1 标准的双极型电子保护环450
13.2.2 标准双极型工艺的空穴保护环451
13.2.3 CMOS和BiCMOS中的保护环452
13.3 单层互连454
13.3.1 模仿版图和棒状图455
13.3.2 交叉连线技术457
13.3.3 隧道类型458
13.4 构建焊盘环460
13.4.1 划片槽和校准标识符460
13.4.2 键合焊盘、修正焊盘和测试焊盘462
13.4.3 静电保护结构465
13.4.4 选择ESD结构477
13.5 习题479
第14章 装配芯片483
14.1 芯片规划483
14.1.1 单元面积的估算483
14.1.2 芯片面积估算487
14.1.3 毛利率489
14.2 布局490
14.3 顶层互连495
14.3.1 通道式布线的基本原则496
14.3.2 特别的布线技巧498
14.3.3 电迁徙501
14.3.4 最小化应力影响503
14.4 总结505
14.5 习题505
附录A 文中的缩写表508
附录B 立方晶体的密勒指数511
附录C 版图规则实例514
C.1 标准双极型工艺规则514
C.2 多晶硅栅极CMOS工艺规则515
C.3 版图规则语法518
附录D 数学推导521
附录E 版图编辑软件的来源526
中英文名词对照表527