图书介绍

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超大规模集成电路设计方法学导论
  • 杨之廉编著 著
  • 出版社: 北京:清华大学出版社
  • ISBN:7302006849
  • 出版时间:1990
  • 标注页数:206页
  • 文件大小:9MB
  • 文件页数:211页
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图书目录

第一章 设计方法分类和计算机辅助的作用1

§1.1 集成电路的设计要求1

§1.2 集成电路的设计流程3

§1.3 设计方法分类4

§1.4 专用集成电路与设计方法6

§1.5 各设计阶段计算机辅助的应用7

§1.6 设计系统与设计软件9

§2.2 符号法版图设计11

§2.1 全定制版图设计方法11

第二章 全定制、定制和半定制设计方法11

§2.3 门阵列设计方法13

§2.4 标准单元法22

§2.5 通用单元法26

§2.6 PLD方法26

§2.7 不同设计方法的比较32

§2.8 混合模式设计方法32

§2.9 层次式设计概念34

§3.1 概述39

§3.2 硅编译器与语言编译的比较39

第三章 硅编译器39

§3.3 硅编译器的输入描述语言40

§3.4 硅编译器的内部组成42

§3.5 软件环境与设计步骤45

§3.6 简单实例——随机逻辑编译器46

§3.7硅编译器的优点与限制51

第四章 逻辑模拟52

§4.1 逻辑模拟程序分类52

§4.2 逻辑模拟的一些基本概念53

4.3.1 编译方式56

§4.3 逻辑模拟的方法56

4.3.2 表格驱动和面向事件方式58

4.3.3 硬件加速方式62

§4.4 SPLICE模拟程序及其应用63

§4.5 SPLICE使用举例65

第五章 时序分析67

§5.1 时序分析的目的67

§5.2 时序分析的方法68

§5.3 MOTIS-C时序分析程序及其应用74

§5.4 MOTIS-C使用举例76

§6.1 电路分析的作用78

§6.2 SPICE电路模拟程序及其应用78

第六章 电路模拟78

§6.3 SPICE使用举例80

§6.4 器件模型及各参数的意义82

6.4.1 二极管模型82

6.4.2 双极型晶体管模型83

6.4.3 结型场效应晶体管模型89

6.4.4 MOS场效应晶体管模型90

6.4.5 砷化?MESFET场效应管模型102

§6.5 模型参数的提取102

§7.1 电路模拟程序的基本组成108

第七章 电路模拟程序的内部结构和求解过程108

§7.2 电路模拟程序的流程109

§7.3 输入处理110

§7.4 建立电路方程118

§7.5 求解方法和过程123

7.5.1 线性电路的直流分析123

7.5.2 非线性电路的直流分析126

7.5.3 交流分析128

7.5.4 瞬态分析129

§7.6 牛顿迭代解的收敛性改进136

§8.1 器件模拟的目的139

第八章 器件模拟139

§8.2 器件模拟的内容140

§8.3 器件模拟的求解方法141

§8.4 物理参数的模型149

§8.5 SEDANⅡ器件模拟程序及其应用151

§8.6 SEDANⅡ程序应用举例155

第九章 工艺模拟157

§9.1 工艺模拟的作用157

§9.2 工艺模拟的求解方法158

§9.3 SUPREMⅡ工艺模拟程序及其应用162

§9.4 SUPREMⅡ工艺模拟程序应用举例164

§9.5 SUPREMⅡ中的工艺模型167

第十章 计算机辅助版图设计179

§10.1 版图设计系统的构成179

§10.2 版图编辑器180

§10.3 版图的生成与编辑182

§10.4 版图验证和分析185

§10.5 图形发生器文件189

§10.6 格式的交换189

附录Ⅰ 算法基础191

附录Ⅱ CIF格式201

参考文献204

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