图书介绍
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- 峨嵋半导体材料研究所译 著
- 出版社： 北京：国防工业出版社
- ISBN：15034·1456
- 出版时间：1975
- 标注页数：151页
- 文件大小：8MB
- 文件页数：155页
- 主题词：
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图书目录
目录7
一、砷化镓单晶的进展7
1.1 GaAs单晶生长技术概述8
1.2 大直径单晶的制造工艺14
二、砷化镓外延生长的进展24
2.1 外延生长的必要性24
2.2 液相外延26
2.3 气相外延33
三、砷化镓场效应晶体管及其应用40
3.1 制造技术41
3.2 肖特基栅型FET的结构设计42
3.3 材料方面的比较45
3.4 应用47
四、砷化镓微波固体器件51
4.1 GaAs微波固体振荡器件的出现51
4.2 各种GaAs微波二极管及其应用57
五、砷化镓微波集成电路67
5.1 GaAs微波集成电路的出现67
5.2 GaAs微波集成电路的制造技术70
5.3 GaAs微波集成电路的应用75
6.1 耿氏二极管的出现及其现状79
六、耿氏二极管及其应用79
6.2 耿氏二极管的特点82
6.3 耿氏振荡器的应用86
七、发光二极管93
7.1 发光二极管的原理和特性94
7.2 发光二极管的种类97
7.3 今后的动向103
八、砷化镓半导体激光器107
8.1 GaAs半导体激光器的出现107
8.2 GaAs半导体激光器的功能116
8.3 GaAs半导体激光器的应用及今后的发展119
九、砷化镓体效应的新应用122
9.1 放大器件123
9.2 函数发生器和模拟-数字转换器130
9 3 成象132
9.4 逻辑器件133
9.5 换能器138
十、展望耿氏二极管和碰撞雪崩渡越时间二极管142
10.1 电学特性143
10.2 使用条件146
10.3 根据用途判断两者的优劣148
10.4 结论151